【技术实现步骤摘要】
本申请涉及三维磁场传感器，具体涉及一种无磁抗冲击三维磁场传感器。
技术介绍
1、对于一般三维磁场传感器结构设计采用混叠结构，能解决三轴相互垂直问题，满足三维基本磁传感器要求，但遇到复杂的多功能模块的磁传感器电路就无法满足要求，而且对于有抗冲击、无磁等要求的混叠结构更无法满足。
2、针对此专利技术对相关专利和论文、资料文献进行搜索，现有专利技术专利如下。
3、申请号cn202011235493.9 用于制造具有三维磁结构的器件的方法。提供了一种用于制造具有三维磁结构的器件的方法。该方法包括：将磁性粒子施加或引入到载体元件上或载体元件中，其中在所述磁性粒子之间形成多个至少部分互连的空腔，并且所述磁性粒子在接触点处彼此接触。该方法还包括，通过对磁性粒子和载体元件的布置进行涂覆来连接接触点处的磁性粒子，其中空腔至少部分地被在涂覆时产生的层渗透，使得结果是三维磁结构。
4、申请号cn202310203775.8 3d 混叠结构的三维磁场传感器及其制备方法。所述三维磁场传感器包括：外围集成电路单元和三个磁敏感单元...
【技术保护点】
1.一种无磁抗冲击三维磁场传感器，包括底座，其特征在于，所述底座上连接有和底座相垂直的金属直柱（3），所述金属直柱（3）的侧面连接有和所述金属直柱（3）相平行的Y轴传感器电路模块板（7），所述金属直柱（3）的顶端连接有和所述金属直柱（3）相垂直的XZ轴传感器电路模块板（2）；其中，XZ轴传感器电路模块板包括X轴磁传感器以及和X轴磁传感器相垂直的Z轴磁传感器；
2.根据权利要求1所述的无磁抗冲击三维磁场传感器，其特征在于，所述金属凸台（8）设置在所述底座的中间部，所述金属凸台（8）的尺寸至少为功率驱动模块板（4）的三分之一。
3.根据权利要求2所...
【技术特征摘要】
1.一种无磁抗冲击三维磁场传感器，包括底座，其特征在于，所述底座上连接有和底座相垂直的金属直柱（3），所述金属直柱（3）的侧面连接有和所述金属直柱（3）相平行的y轴传感器电路模块板（7），所述金属直柱（3）的顶端连接有和所述金属直柱（3）相垂直的xz轴传感器电路模块板（2）；其中，xz轴传感器电路模块板包括x轴磁传感器以及和x轴磁传感器相垂直的z轴磁传感器；
2.根据权利要求1所述的无磁抗冲击三维磁场传感器，其特征在于，所述金属凸台（8）设置在所述底座的中间部，所述金属凸台（8）的尺寸至少为功率驱动模块板（4）的三分之一。
3.根据权利要求2所述的无磁抗冲击三维磁场传感器，其特征在于，所述底座上设有多个安装凸台（9），所述安装凸台（9）位于所述金属凸台（8）的两侧，所述功率驱动模块板（4）的端部通过连接件和安装凸台（9）连接。
4.根据权利要求3所述的无磁抗冲击三维磁场传感器，其特征在于，所述连接件为...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂月萍，张剑，金肖依，刘宜欣，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：
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