一种芯片的可配置设计实现方法技术

本发明专利技术属于集成电路技术领域，提出了一种芯片的可配置设计实现方法。所述芯片的可配置实现方法以自定义指令集、配置寄存器组为内核，并以此构建配置电路。所述自定义指令集用以实现对配置信息的传输、保存、非易失读写等操作的控制；所述配置寄存器组用于配置信息的存储以及输出；所述配置电路表示本方法的硬件实现，包含通信接口模块、译码模块、控制模块、状态寄存器模块、配置寄存器组模块、非易失控制模块以及非易失存储空间。通过本发明专利技术提供的芯片的可配置设计实现方法，能够实现对芯片参数以及各项功能的可重复性配置，并且基于自定义指令集以及配置寄存器组可以实现参数以及功能控制的自适应扩展。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路设计，提出了一种芯片的可配置设计实现方法。

技术介绍

1、随着对于集成电路中高性能高可靠性指标的要求越来越高，集成电路面临的高精度以及高鲁棒性要求日趋明显，修调技术则是实现集成电路高精度高鲁棒性的必要手段。修调技术的实现方法主要有：电阻薄膜的激光修调技术，熔丝烧断修调技术，二极管短路修调技术，内嵌非挥发性存储单元的修调技术。其中电阻薄膜的激光修调精度最高，但是存在成本高，复杂程度高，适应面窄等缺点；熔丝的烧断修调技术对工艺要求较为简单，但是具有一次性修调的缺点，熔丝在熔断前会有一个瞬间的大电流流过，电流突然中断可能会引起电压瞬变从而导致栅氧层破坏；二极管短路修调具有把电阻向小的方向调整的特点，但为单向修调且占用芯片面积；内嵌非挥发性存储单元的修调灵活性较高，可以重复修调。

2、铁电存储器是一种利用铁电材料的极化特性制备的非易失性存储器，相较于flash、eeprom等传统非易失性存储器,铁电存储器读时间要快10-50倍，擦除时间要快5-50倍，写入次数更是二者的100倍，并且铁电存储器的写入电压只有二者的十分之一左右。而相本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片的可配置设计实现方法，其特征在于，通过设计以自定义指令集以及配置寄存器组为内核的配置电路，能够实现对芯片参数以及功能的可重复性配置；

2.如权利要求1所述的自定义指令集，其特征在于，自定义指令集包含但不限于使能指令、状态寄存器控制指令、配置寄存器写指令、配置寄存器读指令、非易失控制指令、自适应扩展指令；

3.如权利要求1所述的配置寄存器组，其特征在于，配置寄存器组包含但不限于DVCR、FECR、PDCR、RLCR、RSCR1、RSCR2、RSCR3等7组配置寄存器；

4.如权利要求1所述的配置电路，其特征在于，配置电路包含通信接口模块、译码...

【技术特征摘要】

1.一种芯片的可配置设计实现方法，其特征在于，通过设计以自定义指令集以及配置寄存器组为内核的配置电路，能够实现对芯片参数以及功能的可重复性配置；

2.如权利要求1所述的自定义指令集，其特征在于，自定义指令集包含但不限于使能指令、状态寄存器控制指令、配置寄存器写指令、配置寄存器读指令、非易失控制指令、自适应扩展指令；

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【专利技术属性】
技术研发人员：李建军，李永志，杜涛，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：