用于带电粒子系统中的缺陷检测和缺陷位置标识的系统和方法技术方案

技术编号:42389376 阅读:26 留言:0更新日期:2024-08-16 16:15
用于提供用于与带电粒子束系统的样品相关联的缺陷检测和缺陷位置标识的射束的装置、系统和方法。在一些实施例中,方法可以包括:获取样品的图像;从图像中确定缺陷特性;基于所确定的缺陷特性和图像生成更新图像;并将更新图像与参考图像对准。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本文的描述涉及带电粒子束系统领域,并且更具体地涉及用于与带电粒子束系统检查系统的样品相关联的缺陷检测和缺陷位置标识的系统和方法。


技术介绍

1、在集成电路(ic)的制造过程中,对未完成或已完成的电路部件进行检查,以确保它们是根据设计制造的并且没有缺陷。利用光学显微镜的检查系统通常具有低至几百纳米的分辨率;并且分辨率受到光波长的限制。随着ic部件的物理尺寸不断减小至100纳米以下甚至10纳米以下,需要比利用光学显微镜的检查系统具有更高分辨率的检查系统。

2、带电粒子(例如,电子)束显微镜,诸如扫描电子显微镜(sem)或透射电子显微镜(tem),其分辨率能够低至小于纳米,用作用于检查具有低于100纳米的特征的ic部件的实用工具。利用sem,单个初级电子束的电子或多个初级电子束的电子可以聚焦在被检查的晶片的感兴趣位置处。初级电子与晶片相互作用并且可以被背散射或者可以导致晶片发射次级电子。包括背散射电子和次级电子的电子束的强度可以基于晶片的内部和外部结构的特性而变化,从而可以指示晶片是否具有缺陷。


技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种用于图像分析的系统,包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其中根据所述图像确定缺陷特性包括:

3.根据权利要求2所述的系统,其中所述控制器包括被配置为使所述系统还执行以下操作的电路系统:

4.根据权利要求2所述的系统,其中生成所述更新图像包括:

5.根据权利要求3所述的系统,其中所述控制器包括被配置为使所述系统还执行包括以下操作的电路系统:基于所述一个或多个位置的集合的所述指示来对所述一个或多个缺陷进行分箱。

6.根据权利要求3所述的系统,其中所述指示包括以下中的任一项:所述更新图像的元数据或所述更新图像的特性。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于图像分析的系统,包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其中根据所述图像确定缺陷特性包括:

3.根据权利要求2所述的系统,其中所述控制器包括被配置为使所述系统还执行以下操作的电路系统:

4.根据权利要求2所述的系统,其中生成所述更新图像包括:

5.根据权利要求3所述的系统,其中所述控制器包括被配置为使所述系统还执行包括以下操作的电路系统:基于所述一个或多个位置的集合的所述指示来对所述一个或多个缺陷进行分箱。

6.根据权利要求3所述的系统,其中所述指示包括以下中的任一项:所述更新图像的元数据或所述更新图像的特性。

7.根据权利要求1所述的系统,其中生成所述更新图像还包括调整所述图像以最小化所述图像上的缺陷。

8.根据权利要求1所述的系统,其中所确定的所述缺陷特性包括来自所述图像的强度水平。

9.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:金生程浦凌凌于良江
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司
类型:发明
国别省市:

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