【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种外延反应器重启方法及外延生长系统、外延硅晶圆。
技术介绍
1、在单晶抛光晶圆上生长一层单晶薄膜称为外延硅晶圆。相比抛光晶圆，外延硅晶圆具有表面缺陷少、结晶性优异和电阻率可控的特性，被广泛用于高集成化的集成电路(integrated circuit，ic)元件和金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mos)制程中。一般通过化学气相沉积法对晶圆进行外延生长，首先将晶圆传送至反应腔室承载晶圆的基座上，然后反应腔室升温，达到预设的温度后送入清洁气体(比如氢气)去除晶圆表面的自然氧化物，再送入硅源气体在晶圆正面连续均匀的生长外延层。
2、图1为晶圆外延层的制备过程示意图。如图1所示，晶圆外延层制备主要分为2个阶段，第一阶段进行腔室刻蚀，通入氢气(h2)和刻蚀气体(hcl)，氢气作为主气流运载刻蚀气体(hcl)与沉积在反应腔室的副产物反应，对反应腔室进行自清洁；第二阶段进行外延层生长，通入氢气(h2)、硅源气...
【技术保护点】
1.一种外延生长系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的外延生长系统，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的外延生长系统，其特征在于，还包括：
4.一种外延反应器重启方法，其特征在于，应用于如权利要求1-3中任一项所述的外延生长系统，包括：
5.根据权利要求4所述的外延反应器重启方法，其特征在于，所述利用所述水分测试仪测量所述水分测试样气进气管路输送的气体中的水分浓度之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求4或5所述的外延反应器重启方法，其特征在于，所述对所述外延反应器腔室进行烘烤包括：p>
7.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种外延生长系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的外延生长系统，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的外延生长系统，其特征在于，还包括：
4.一种外延反应器重启方法，其特征在于，应用于如权利要求1-3中任一项所述的外延生长系统，包括：
5.根据权利要求4所述的外延反应器重启方法，其特征在于，所述利用所述水分测试仪测量所述水分测试样气进气管路输送的气体中的水分浓度之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求4或5所述的外延反应器重启方法，其特征在于，所述对所述外延反应器腔室进行烘烤包括：
7.根据权利要求4所述的外延...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙毅，请求不公布姓名，贾帅，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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