【技术实现步骤摘要】
本申请涉及直拉法晶体生长，尤其涉及直拉法单晶生长控制仿真的方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品。
技术介绍
1、直拉法单晶炉是在一定的热场和压力环境下通过控制拉速、功率和埚升等执行机构实现在多晶硅熔液中提取出单晶硅棒的设备。通过给定晶升速度、加热功率和埚升速度实现对晶棒直径、生长速度和液面温度等状态的控制。
2、由于拉晶过程中炉内高温、多流场和多相变的生长环境给拉晶建模带来了热场环境复杂、温度测量不准以及液面温度与提拉速度耦合作用影响晶体生长等问题，导致没有适用于单晶生长控制的模型。而现场拉晶过程时间长、成本和风险高，没有条件实地地对控制器进行设计和优化，因此迫切地需要一种单晶生长过程的控制模型。当前常用的单晶生长仿真主要分为通过数值模拟软件进行晶体生长过程的数据仿真、利用深度学习或者机器学习得到的控制用的数据驱动模型，以及利用机理建模结合热场模型和固液界面几何模型的生长模型三类。但是，由于数值模拟软件无法接入控制器进行仿真、数据驱动模型在实际应用中难以部署实施，且训练过程复杂，不确定性大，生长模型在涉及热场建模时对热...
【技术保护点】
1.一种直拉法单晶生长控制仿真的方法，其特征在于，所述的方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述晶升速度、所述加热功率以及所述埚升速度输入至预设晶体仿真模型进行仿真，获得所述单晶的生长反馈变量的步骤之前还包括：
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述实验数据辨识所述加热功率到所述单晶生长环境中液面温度的带纯滞后的温度模型的步骤包括：
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述历史数据拟合获得所述单晶的生长速度、晶棒长度以及所述液面温度的生长关系的步骤包括：
5.如权利要求2所...
【技术特征摘要】
1.一种直拉法单晶生长控制仿真的方法，其特征在于，所述的方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述晶升速度、所述加热功率以及所述埚升速度输入至预设晶体仿真模型进行仿真，获得所述单晶的生长反馈变量的步骤之前还包括：
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述实验数据辨识所述加热功率到所述单晶生长环境中液面温度的带纯滞后的温度模型的步骤包括：
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述历史数据拟合获得所述单晶的生长速度、晶棒长度以及所述液面温度的生长关系的步骤包括：
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述单晶生长环境中晶棒固体和熔液的固液界面几何形态建立晶棒生长几何模型的步骤包括：
6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述将所述晶升速度、所述加热功率以及所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张扬真，陈碧海，赵晓春，
申请(专利权)人：三一重能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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