用于量子芯片的片上滤波器及其制备方法、量子芯片技术

本发明专利技术提供了一种用于量子芯片的片上滤波器及其制备方法、量子芯片，涉及量子技术领域。量子芯片的片上滤波器包括：基片；第一导电层，包括在基片上设置的第一微带线电极；第一绝缘层，设置在第一导电层上；以及第二导电层，设置在第一绝缘层上，包括：第二微带线电极，与多个第一微带线电极对置，以通过第一绝缘层与第一微带线电极构成电容元件；以及纳米线电极，与第二微带线电极电连接，采用高动态电感材料制备，在环境温度低于高动态电感材料的超导转变温度的情况下，纳米线电极具有超导特性并作为电感元件，与电容元件配合形成滤波单元，对来自外部的电磁波进行选择性的传输，减少特定频率区间内的电磁波泄露。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的至少一实施例涉及量子，尤其涉及一种用于量子芯片的片上滤波器及其制备方法、量子芯片。

技术介绍

1、半导体门控量子点是量子计算的实现平台之一。由于其具有操控灵活、易于扩展以及与传统半导体加工技术兼容等特点，得到了广泛的关注与快速的发展。

2、量子点系统中的比特扩展主要包括以库伦相互作用、自旋穿梭等为代表的中短程比特耦合，以及以谐振腔-量子点耦合的电路量子电动力学（circuit quantumelectrodynamics，cqed）系统为代表的长程比特耦合。其中，谐振腔在cqed系统中不仅可以用于比特态传输，还可以通过色散耦合方式对比特态进行高速高保真度的近似非破坏性读出等。

3、然而，为了实现谐振腔介导的比特长程耦合，需要实现强耦合条件，即光子-比特间耦合强度大于比特退相干速率与腔光子泄漏速率。低阻抗超导谐振腔受限于偏低的耦合强度，实现强耦合条件具有较大的困难。使用高阻抗共面波导谐振腔可以实现强耦合条件。高阻抗谐振腔通过降低谐振腔集总等效电容的方式，提高真空涨落电压，以提高耦合强度。高阻抗谐振腔的引入降低了对比特退相干本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于量子芯片的片上滤波器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的片上滤波器，其特征在于，所述第二导电层还包括：

3.根据权利要求2所述的片上滤波器，其特征在于，所述滤波单元为多个；

4.根据权利要求1所述的片上滤波器，其特征在于，所述基片包括：

5.一种如权利要求1-4中任一项所述的用于量子芯片的片上滤波器的制备方法，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述根据所述设计阶数、截止频率、所述通带纹波和所述设计阻抗，确定所述电容元件和所述电感元件的尺寸，包括：

<p>7.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种用于量子芯片的片上滤波器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的片上滤波器，其特征在于，所述第二导电层还包括：

3.根据权利要求2所述的片上滤波器，其特征在于，所述滤波单元为多个；

4.根据权利要求1所述的片上滤波器，其特征在于，所述基片包括：

5.一种如权利要求1-4中任一项所述的用于量子芯片的片上滤波器的制备方法，其特征在于，包括：

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹刚，魏泽成，邓松晏，李宗祜，徐永强，郭国平，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：