一种高导热MXene/CNTs复合材料及其制备方法、以及应用技术

本发明专利技术公开一种高导热MXene/CNTs复合材料及其制备方法、以及应用，所述制备方法通过分段热解制备三维MXene/CNTs复合导热填料。本发明专利技术提供的技术方案中，利用CoCl<subgt;2</subgt;同时作为由MAX制备MXene的刻蚀剂和CNTs合成的催化剂，一步法制备MXene/CNTs复合导热填料，该方法利用CoCl<subgt;2</subgt;作为熔融盐由MAX通过熔融盐法制备花状MXene，与此同时，在原料中加入碳源如g‑C<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;或者三聚氰胺等在CoCl<subgt;2</subgt;催化剂存在条件下可直接合成CNTs，即在CoCl<subgt;2</subgt;的双重作用下，可实现一步法制备花状MXene/CNTs三维复合导热填料，该复合填料具有良好的导热性能，可应用于导热领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及导热材料，具体涉及一种高导热mxene/cnts复合材料及其制备方法、以及应用。

技术介绍

1、近年来，集成电路发展趋势朝着短、小、轻、薄的方向进行，随着电子元器件功率密度的增加，电子元器件的散热问题已经严重限制了集成电路产业的发展。由于聚合物材料的柔韧性，低成本和良好的可加工性，聚合物复合材料被广泛应用于热界面材料中。然而聚合物的本征导热性能并不高，因此需要添加高导热填料改善聚合物基体的散热性能。由此可知，导热填料的开发对于集成度越来越高的现代化电子设备尤为重要。

2、mxene是一种二维纳米结构的过渡金属碳/氮化物，由于mxene独特的层状结构有利于导热，因此常常作为填料被应用于聚合物基体。碳纳米管(carbon nanotubes，cnts)是一种一维石墨化的碳材料，由于其比表面积大、导电性好而被广泛利用，但其易聚集限制了其性能。传统mxene的制备方法是由氢氟酸(hf)选择性蚀刻max制备得到的，但是hf刻蚀剂具有高度腐蚀性、毒性、操作风险性、环境污染等问题，以及生成的mxenes表面上具有大量的-f基团，在导热方面是不利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高导热MXene/CNTs复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的高导热MXene/CNTs复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述升温的速率为4-6℃/min；和/或，

3.如权利要求1所述的高导热MXene/CNTs复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，所述过渡金属卤素盐为CoCl2,CoBr2,FeCl3,或NiCl2中的一种或者多种；和/或，

4.如权利要求3所述的高导热MXene/CNTs复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，所述过渡金属卤素盐包括CoCl2、CoBr2，所述g-...

【技术特征摘要】

1.一种高导热mxene/cnts复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的高导热mxene/cnts复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤s1中，所述升温的速率为4-6℃/min；和/或，

3.如权利要求1所述的高导热mxene/cnts复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤s2中，所述过渡金属卤素盐为cocl2,cobr2,fecl3,或nicl2中的一种或者多种；和/或，

4.如权利要求3所述的高导热mxene/cnts复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤s2中，所述过渡金属卤素盐包括cocl2、cobr2，所述g-c3n4黄色固体粉末能够以所述cocl2或cobr2为催化剂在升温煅烧的条件下生成co@cnts。

5.如权利要求3所述的高导热mxene/cnts复合材料的制备方法，其特征在于，所述升温的速率为4-6℃/min；和/或，

6.如权利要求1所述的高导热mxene/cnts复合材...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡梦蝶，苌远，闫飞豹，柏家奇，孙松，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：