【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文提供的实施例涉及带电粒子束系统的电子源,更具体地说,涉及使用光源来清洁场发射电子源的系统和方法。
技术介绍
1、在集成电路(ic)的制造过程中,对未完成或已完成的电路部件进行检查,以确保它们根据设计制造且无缺陷。可以采用利用光学显微镜或带电粒子(例如,电子)束显微镜(诸如扫描电子显微镜(sem))的检查系统。随着ic部件的物理尺寸不断缩小,缺陷检测的准确性、成像分辨率和产率变得更加重要。可以采用多个带电束来满足检查吞吐量要求;然而,多个带电束系统的成像分辨率可能会受到影响,导致检查工具不足以达到其预期目的。成像分辨率还受电子源稳定性的影响,电子源稳定性通过定期对电子发射器尖端进行净化来维持。现有的用于清洁电子源的电子发射器尖端的过程可能需要部分或完全关闭检查工具,从而影响整体检查吞吐量等问题。
2、因此,现有技术系统由于电子源的污染而面临图像分辨率和电子源稳定性等方面的限制。现有的从电子源中去除污染物的方法可能会在清洁后产生的电流中引入易变性或缩短电子源的使用寿命,从而导致成本无效或不可靠,或两者兼而有之。因此,需要清洁
...【技术保护点】
1.一种电子束装置,包括:
2.根据权利要求1所述的电子束装置,还包括包围所述电子源的腔室,所述腔室包括被配置为允许所述光束通过的观察口。
3.根据权利要求1所述的电子束装置,其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致所述污染物与所述发射器尖端的所述表面之间的键断裂。
4.根据权利要求3所述的电子束装置,其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致由光子辅助的量子过程辅助的所述键的断裂。
5.根据权利要求3所述的电子束装置,其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致由所述发射器尖端的局部加热辅助的所述键的断裂。
>6.根据权利...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子束装置,包括:
2.根据权利要求1所述的电子束装置,还包括包围所述电子源的腔室,所述腔室包括被配置为允许所述光束通过的观察口。
3.根据权利要求1所述的电子束装置,其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致所述污染物与所述发射器尖端的所述表面之间的键断裂。
4.根据权利要求3所述的电子束装置,其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致由光子辅助的量子过程辅助的所述键的断裂。
5.根据权利要求3所述的电子束装置,其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致由所述发射器尖端的局部加热辅助的所述键的断裂。
6.根据权利要求3所述的电子束装置,其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致由光子辅助的量子过程与所述发射器尖端的局部加热的组合辅助的所述键的断裂。
7.根据权利要求1所述的电子束装置,其中照射所述发射器尖端的所述部分的所述光束的波长基于要被去除的所述污染物来调整。
8.根据权利要求7所述的电子束装置,其中所述光束...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜志东,刘学东,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:
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