【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，更具体的说是涉及一种石墨烯晶体管直流模型的参数提取方法及系统。
技术介绍
1、目前，石墨烯晶体管的直流模型描述了石墨烯晶体管的电流与物理参数之间的函数关系，例如下式。
2、id＝f(vds,vgs,μ,δ,…)
3、式中，id为石墨烯晶体管的电流。μ为载流子迁移率。vds为漏源电压，vgs为栅源电压。δ代表了石墨烯静电势的空间非均匀性。f()表示了电流与物理参数之间的潜在函数关系。
4、每一个物理参数均需要设定一个具体数值，如μ为10000cm2·v-1·s-1。vds为1v，vgs为0v，δ为77mev。对于未建模的石墨烯晶体管，这些物理参数的具体数值都是未知的。确定物理参数的具体数值是建模的重要环节，而解决这一环节的问题可以提高建模的效率。
5、但是传统的确定物理参数的具体数值的方法为凭借经验对物理参数设定一个初始值，然后再不断进行优化，直到模型足够准确。例如凭经验设定μ为10000cm2·v-1·s-1，然后对比模型给出的电流值与石墨烯晶体管的测试实际电流，...
【技术保护点】
1.一种石墨烯晶体管直流模型的参数提取方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种石墨烯晶体管直流模型的参数提取方法，其特征在于，所述初始石墨烯晶体管直流模型为：
3.根据权利要求2所述的一种石墨烯晶体管直流模型的参数提取方法，其特征在于，所述电子浓度Qnet,n(x)和空穴浓度Qnet,p(x)的计算公式分别为：
4.根据权利要求2所述的一种石墨烯晶体管直流模型的参数提取方法，其特征在于，所述电子饱和速度vsat,n(x)和空穴饱和速度vsat,p(x)的计算公式分别为：
5.根据权利要求3所述的一种石墨烯晶...
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯晶体管直流模型的参数提取方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种石墨烯晶体管直流模型的参数提取方法，其特征在于，所述初始石墨烯晶体管直流模型为：
3.根据权利要求2所述的一种石墨烯晶体管直流模型的参数提取方法，其特征在于，所述电子浓度qnet,n(x)和空穴浓度qnet,p(x)的计算公式分别为：
4.根据权利要求2所述的一种石墨烯晶体管直流模型的参数提取方法，其特征在于，所述电子饱和速度vsat,n(x)和空穴饱和速度vsat,p(x)的计算公式分别为：
5.根据权利要求3所述的一种石墨烯晶体管直流模型的参数提取方法，其特征在于，所述根据漏源电压、狄拉...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐涛，吴韵秋，刘辉华，赵晨曦，余益明，张青风，张净植，康凯，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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