一种脉冲渗碳表面碳浓度低点的计算方法、真空渗碳脉冲时间的计算方法、储存介质技术

本发明专利技术提供了一种脉冲渗碳表面碳浓度低点的计算方法、真空渗碳脉冲时间的计算方法，属于真空渗碳技术领域。渗碳过程碳浓度的精细化控制是渗碳件组织与性能调控的基础。本发明专利技术能够精确计算固定脉冲数情况下的真空渗碳所有强渗过程和扩散过程的时间。依据上述脉冲渗碳时间得到的工件渗层深度与目标值误差小于0.01%，相比于传统算法的10%有大幅度提升，为渗碳过程的精细化控制提供了工艺计算方法支撑。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及真空渗碳，尤其涉及一种脉冲渗碳表面碳浓度低点的计算方法、真空渗碳脉冲时间的计算方法、储存介质。

技术介绍

1、真空低压渗碳通常以乙炔为渗碳介质，以脉冲为工作方式的真空低压渗碳工艺。伴随着环境恶化、能源危机等世界性难题，真空低压渗碳作为一种清洁、高效、绿色的热处理技术受到广泛关注。

2、真空低压渗碳采用脉冲的渗碳方式，强渗-扩散形成一个脉冲。在强渗过程中，通过供给渗碳介质使材料表面碳浓度升高，达到表面碳浓度高点（一般是奥氏体饱和碳浓度）；在扩散过程中，通过碳在材料中的扩散，使材料表面碳浓度降低，达到表面碳浓度低点。在终扩散过程通过扩散使材料表面碳浓度达到目标表面碳浓度。在工艺计算中，往往根据表面碳浓度高点和表面碳浓度低点来分别计算强渗过程和扩散过程的具体时间。由此可见，表面碳浓度低点是真空低压渗碳工艺的一个重要参数。

3、传统的渗碳脉冲参数计算方法是将目标表面碳含量、目标渗层深度、表面碳浓度高点和表面碳浓度低点作为输入参量计算渗碳工艺，通过增加脉冲数进行迭代计算，算法截止条件为计算得到的渗层深度大于目标渗层深度。这种方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种脉冲渗碳表面碳浓度低点的计算方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述材料参数包括表面传递系数、扩散系数和基体碳含量。

3.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述Cl,l与基体碳浓度的差值为0.1wt%。

4.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述奥氏体饱和碳浓度与Cl,r的差值为0.1wt%。

5.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述误差E≤0.001kg/m2。

6.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述步骤（2）、（3）和（5）中所述渗层深...

【技术特征摘要】

1.一种脉冲渗碳表面碳浓度低点的计算方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述材料参数包括表面传递系数、扩散系数和基体碳含量。

3.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述cl,l与基体碳浓度的差值为0.1wt%。

4.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述奥氏体饱和碳浓度与cl,r的差值为0.1wt%。

5.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述误差e≤0.001kg/m2。

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：马靖博，丛培武，陆文林，杜春辉，姚佳伟，杨广文，薛丹若，陈旭阳，王喆，黄晓辉，路鸣君，
申请(专利权)人：中国机械总院集团北京机电研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：