一种边缘进气装置及等离子刻蚀系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种边缘进气装置及等离子刻蚀系统，所述边缘进气装置包括气体管路、进气块及匀气环；所述气体管路连接所述进气块，所述进气块均匀分布在所述匀气环周围，所述匀气环的环状凹槽由介质窗覆盖，所述环状凹槽设有用于通入气体的进气孔和用于连通腔室的出气孔；所述进气孔和/或环状凹槽内设有能够使气体在输入过程中分散通过的防电离部件，和/或，所述出气孔为能够使气体在输出过程中变向的非直线孔，以形成防电离结构。该边缘进气装置可以在解决电离问题的同时保证良好的匀气效果，从而更好的满足刻蚀系统的工艺要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及用于生产半导体芯片的等离子刻蚀系统的边缘进气装置。本专利技术还涉及设有所述边缘进气装置的等离子刻蚀系统。

技术介绍

1、随着半导体技术的发展，在设备工作时需要将不同工艺气体混合通入腔室，对半导体设备颗粒及进气效果有了更高的要求。

2、目前，腔室进气分为中心进气以及边缘进气两种进气方式，边缘进气需要满足匀气效果以及进气均匀性两个要求，同时在工艺改进过程中不要求腔室内部颗粒数目降低还加入了大量腐蚀性气体，这些气体对进气所使用的材料及结构有较高的要求。

3、一种边缘进气方式如图1所示，进气块7连接气体管路8，同时进气块7放置腔体2侧面，进气块7通过密封圈6保证和进气塞3的密封，进气塞3放置在腔体2内部，进气塞3通过第一密封圈4和第二密封圈5保证整体结构的密封，进气塞3通过气道将工艺气体通入腔室1内。

4、这种结构可以通过气体管路对工艺气体进行保护，能产生较好的进气均匀性效果，但由于管道内空间狭小，没有合适的空间进行均匀混合，容易导致工艺气体混合不均匀，同时折弯的气体管路容易造成管道内壁破裂容易腐蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种边缘进气装置，包括气体管路(90)、进气块(70)及匀气环(40)；其特征在于，所述气体管路(90)连接所述进气块(70)，所述进气块(70)均匀分布在所述匀气环(40)周围，所述匀气环(40)的环状凹槽(42)由介质窗(20)覆盖，所述环状凹槽(42)设有用于通入气体的进气孔(41)和用于连通腔室的出气孔(43)；所述进气孔(41)和/或环状凹槽(42)内设有能够使气体在输入过程中分散通过的防电离部件，和/或，所述出气孔(43)为能够使气体在输出过程中变向的非直线孔，以形成防电离结构。

2.根据权利要求1所述的边缘进气装置，其特征在于，所述防电离部件包括设于所述进气...

【技术特征摘要】

1.一种边缘进气装置，包括气体管路(90)、进气块(70)及匀气环(40)；其特征在于，所述气体管路(90)连接所述进气块(70)，所述进气块(70)均匀分布在所述匀气环(40)周围，所述匀气环(40)的环状凹槽(42)由介质窗(20)覆盖，所述环状凹槽(42)设有用于通入气体的进气孔(41)和用于连通腔室的出气孔(43)；所述进气孔(41)和/或环状凹槽(42)内设有能够使气体在输入过程中分散通过的防电离部件，和/或，所述出气孔(43)为能够使气体在输出过程中变向的非直线孔，以形成防电离结构。

2.根据权利要求1所述的边缘进气装置，其特征在于，所述防电离部件包括设于所述进气孔(41)内的进气塞(60)和/或设于所述环状凹槽(42)内的挡环(30)，所述进气塞(60)和/或挡环(30)具有使气体分散通过的通道。

3.根据权利要求2所述的边缘进气装置，其特征在于，所述进气塞(60)和/或挡环(30)为ptfe、pp、石英或陶瓷材料。

4.根据权利要求3所述的边缘进气装置，其特征在于，所述进气塞(60)和/或挡环(30)为蜂窝陶瓷材料。

5.根据权利要求2所述的边缘进气装置，其特征在于，所述进气塞(60)为分段式结构，每段进气塞分别设有通气孔(61)，且相邻两段进气塞的通气孔(61)分别以不同直径圆周分布，以在径向上相互错位。

6.根据权利要求5所述的边缘进气装置，其特征在于，相邻两段进气塞之间形成有通气间隙(62)。

7.根据权利要求6所述的边缘进气装置，其特征在于，在相邻两段进气塞中，其中一段进气塞在对接面上设有凸起或内凹部位，以与另一段进气塞的对接面之间形成所述通气间隙(62)。

8.根据权利要求7所述的边缘进气装置，其特征在于，最后一段进气塞的通气孔(61)位于其中心位置。

9.根据权利要求5所述的边缘进气装置，其特征在于，所述进气塞一端位于所述进气块(70)的气孔内，另一端位于所述匀气环(40)内。

10.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李浩，刘海洋，刘小波，李雪冬，陈帅，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：