一种功率模块外壳形变模拟装置及控制方法制造方法及图纸

技术编号：42369475 阅读：31 留言：0更新日期：2024-08-16 14:51

本发明专利技术公开了一种功率模块外壳形变模拟装置及控制方法，属于形变模拟技术领域；包括，基座；托盘组件，与基座的顶部滑动连接，用于承托功率模块；夹爪组件，位于托盘组件的两侧，包括，气缸连接件，用于传输气缸动力；夹爪，在气缸动力的作用下，对功率模块施加循环力，以控制功率模块的外壳形变量；夹爪支架，连接气缸连接件和夹爪，用于支撑夹爪。上述技术方案的有益效果是：能够在短时间内模拟功率模块外壳形变，实现定位分析模块外壳形变对模块失效的影响。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及形变模拟，尤其涉及一种功率模块外壳形变模拟装置及控制方法。

技术介绍

1、绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)功率半导体模块作为新能源转换系统和高压电源开关装置中的关键部件，广泛应用于照明、汽车、高铁、等领域。随着igbt向高功率和高集成度方向发展，在结构和性能上有很大的改进，但热产生问题日益突出。

2、由于igbt模块在工作时，模块外壳受到循环温度升降的影响，会产生形变，使得信号端子上的键合线受到较大的剪切应力，导致igbt模块的键合线疲劳老化，容易引起igbt模块的失效，影响电力系统和工业控制系统的安全性和可靠性。

3、在现有技术中，针对igbt模块的疲劳失效和可靠性研究大多基于功率循环实验或温度循环实验结果分析，这种方法往往无法定位分析模块外壳形变对igbt模块的可靠性影响，并且实验所需的时间和成本较高。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于，提供一种功率模块外壳形变模拟装置，解决以上技术问题；

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【技术保护点】

1.一种功率模块外壳形变模拟装置，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的功率模块外壳形变模拟装置，其特征在于，所述基座(1)包括，

3.根据权利要求2所述的功率模块外壳形变模拟装置，其特征在于，所述托盘组件(2)包括，

4.根据权利要求3所述的功率模块外壳形变模拟装置，其特征在于，所述安装托盘(21)上设有定位孔，所述定位孔内穿设有定位鞘(23)，用于固定所述功率模块。

5.根据权利要求3所述的功率模块外壳形变模拟装置，其特征在于，所述安装托盘(21)的一端开设有方形孔(6)，用于拉取所述安装托盘(21)。