光电转换元件和光电转换元件的制造方法技术

光电转换元件具备：光吸收层(14)；空穴传输层(15)，其传输由光吸收层(14)的光激发而产生的空穴；以及透明导电层(16)，其与空穴传输层(15)接触并且从空穴传输层(15)接收空穴。透明导电层(16)的载流子密度大于1×10<supgt;16</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;且为1×10<supgt;20</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及光电转换元件和光电转换元件的制造方法。

技术介绍

1、近年来，作为下一代太阳能电池之一，包含中心金属使用铅、锡等的钙钛矿结构的材料的钙钛矿太阳能电池备受关注。显示高效率的钙钛矿太阳能电池具有从受光面侧起依次排列有包含n型半导体的电子传输层、钙钛矿层、包含p型半导体的空穴传输层的所谓的n-i-p型的层叠结构。上述空穴传输层通常应用spiro-ometad等有机薄膜(例如参照非专利文献1)。

2、例如，已知如果为了应用于多结太阳能电池而将钙钛矿太阳能电池的金属电极置换为透明导电层并进行半透明化，则效率大幅降低(例如参照非专利文献2)。作为上述对策，通过在钙钛矿太阳能电池的空穴传输层与透明导电层之间导入moox等作为缓冲层，能够实现效率的改善(例如参照非专利文献3、4)。

3、现有技术文献

4、非专利文献

5、非专利文献1：min，h.，kim，m.，lee，s.-u.，kim，h.，kim，g.，choi，k.，lee，j.h.，and seok，s.il(2019).efficient，stabl本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电转换元件，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述空穴传输层包含使所述空穴传输层氧化而使所述空穴传输层的载流子密度增加的添加剂。

3.根据权利要求2所述的光电转换元件，其中，所述添加剂包含锂。

4.根据权利要求3所述的光电转换元件，其中，所述空穴传输层的材料与所述锂的浓度比为0.6以上。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的光电转换元件，其中，所述添加剂为(氟磺酰基)(三氟甲基)亚胺锂(LiTFSI)。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的光电转换元件，其中，所述空穴传输层的载流子密度为1...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光电转换元件，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述空穴传输层包含使所述空穴传输层氧化而使所述空穴传输层的载流子密度增加的添加剂。

3.根据权利要求2所述的光电转换元件，其中，所述添加剂包含锂。

4.根据权利要求3所述的光电转换元件，其中，所述空穴传输层的材料与所述锂的浓度比为0.6以上。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的光电转换元件，其中，所述添加剂为(氟磺酰基)(三氟甲基)亚胺锂(litfsi)。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的光电转换元件，其中，所述空穴传输层的载流子密度为1×1018cm-3以上。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的光电转换元件，其中，所述空穴传输层的厚度为130nm以下。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的光电转...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村元志，竹中一生，濑川浩司，多田圭志，别所毅隆，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：