【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳基传感器,具体而言涉及一种用于cnt-fet短波红外传感器阵列的读出电路。
技术介绍
1、红外传感器是利用红外线作为介质的传感器,通过检测物体发射的红外辐射来感知物体的存在、距离、温度等参数,在工业、国防、环境监测、医疗诊断、安全监控、钢铁、石油化工、智能家居等领域得到广泛的应用。
2、红外传感器的系统构成主要包括探测器、信号处理电路、处理器芯片以及信号可视化表征。探测器是红外传感器的核心部分,负责接收和检测物体发射的红外辐射。探测器通常由敏感元件和转换元件组成,敏感元件负责接收红外辐射,并将其转换为电信号,而转换元件则将电信号进一步转换为可处理和传输的电信号。由于红外光的能量较弱,红外传感器的探测灵敏度通常较低。信号处理电路是红外传感器的关键部分,负责处理探测器输出的信号,包括放大、滤波、数字化等处理过程。信号处理电路通常由前置放大器、主放大器、滤波器、积分电路、adc等组成。处理器芯片是红外传感器的控制中心,负责控制整个系统的运行和处理探测器输出的信号。
3、红外传感器读出电路是红外传感器的重
...【技术保护点】
1.一种用于CNT-FET短波红外传感器阵列的读出电路,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的用于CNT-FET短波红外传感器阵列的读出电路,其特征在于,所述行选通电路包括N*N组NMOS与PMOS对管,每一组NMOS与PMOS对管分别与一个传感器连接,用于控制该传感器的选通;
3.根据权利要求2所述的用于CNT-FET短波红外传感器阵列的读出电路,其特征在于,每一组NMOS与PMOS对管中,PMOS的栅极接恒为3.3V的电压,NMOS的源级接1.68V的参考电压。
4.根据权利要求2或者3所述的用于CNT-FET短波红外传感
...【技术特征摘要】
1.一种用于cnt-fet短波红外传感器阵列的读出电路,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的用于cnt-fet短波红外传感器阵列的读出电路,其特征在于,所述行选通电路包括n*n组nmos与pmos对管,每一组nmos与pmos对管分别与一个传感器连接,用于控制该传感器的选通;
3.根据权利要求2所述的用于cnt-fet短波红外传感器阵列的读出电路,其特征在于,每一组nmos与pmos对管中,pmos的栅极接恒为3.3v的电压,nmos的源级接1.68v的参考电压。
4.根据权利要求2或者3所述的用于cnt-fet短波红外传感器阵列的读出电路,其特征在于,所述nmos采用vaba1220n,pmos采用ao3415a。
5.根据权利要求1所述的用于cnt-fet短波红外传感器阵列的读出电路,其特征在于,所述电流采集与转换电路包括电流采样电路以及模数转换电路:
6.根据权利要求...
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