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一种硫化镍纳米线阵列的制备方法技术

技术编号:4234574 阅读:283 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种硫化镍纳米线阵列的制备方法。首先以多孔氧化铝为模板,在其上电化学沉积硫化锌纳米线阵列,之后将含有硫化锌纳米线阵列的多孔氧化铝模板置于由硫酸镍盐和硼酸加水配制的电沉积溶液中,电沉积溶液中硫酸镍盐浓度为0.5~0.6mol/L、硼酸浓度为0.45~0.52mol/L,以含有硫化锌纳米线阵列的多孔氧化铝模板为阴极,以石墨片为阳极,室温下加以直流-4.0~-2.0V的电压通过电化学置换反应获得含有硫化镍纳米线阵列的多孔氧化铝模板。本发明专利技术通过电化学置换反应能够合成更多种类的化合物半导体,拓展了电化学法在化合物半导体的应用,并且方法简单,成本低廉,有助于化合物半导体纳米结构的器件化和广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硫化镍纳米线阵列的制备方法,其特征在于:首先以多孔氧化铝为模板,在其上电化学沉积硫化锌纳米线阵列,之后将含有硫化锌纳米线阵列的多孔氧化铝模板置于由硫酸镍盐和硼酸加水配制的电沉积溶液中,电沉积溶液中硫酸镍盐浓度为0.5~0.6mol/L、硼酸浓度为0.45~0.52mol/L,以含有硫化锌纳米线阵列的多孔氧化铝模板为阴极,以石墨片为阳极,室温下加以直流-4.0~-2.0V的电压通过电化学置换反应获得含有硫化镍纳米线阵列的多孔氧化铝模板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:程亮田永涛赵晓峰贾天世徐玉睿王文闯李新建
申请(专利权)人:郑州大学
类型:发明
国别省市:41[中国|河南]

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