超高频ＲＦＩＤ读写器中的高线性度低噪声下混频器制造技术

本发明专利技术提出了一种面向超高频ＲＦＩＤ读写器的下混频器，该混频器涉及一种基于Ｇｉｌｂｅｒｔ结构的具有高线性度混频器。通过在输入端采用二阶交调电流注入结构，以提高线性度；在输出端采用动态电流注入结构，从而降低噪声。二阶交调电流注入结构是通过对ＭＯＳ管的非线性特性进行分析，然后得出使三阶交调电流值为０时的注入电流值；在输出端，采用动态电流注入结构，通过对各ＭＯＳ管导通特性的分析，实现电流的动态注入特性，从而大大降低混频器的闪烁噪声。本发明专利技术提出的混频器的工作电压为１．２Ｖ，功耗低，符合低电压低功耗的要求，简化电路结构、降低功耗以及扩展中心工作频率点等方面有很大的指导意义。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种混频器，包括：第一级ＮＭＯＳ管Ｍ３与第二级ＮＭＯＳ管Ｍ４、Ｍ５的源级相连，为其提供偏置电流，第二级ＮＭＯＳ管Ｍ４、Ｍ５为跨导级，第三级ＮＭＯＳ管Ｍ６、Ｍ７，Ｍ８、Ｍ９为开关级，Ｒ↓［１］和Ｒ↓［２］为输出端负载。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王春华，汪飞，袁超，郭胜强，许静，张秋晶，何海珍，郭小蓉，易波，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]