芯片封装破膜装置、芯片封装方法及芯片封装结构制造方法及图纸

技术编号:42329187 阅读:22 留言:0更新日期:2024-08-14 16:07
本发明专利技术涉及半导体技术领域,提出了一种芯片封装破膜装置、芯片封装方法及芯片封装结构,该芯片封装破膜装置包括:盒体结构;其中,所述盒体结构具有至少一个破膜部,所述破膜部被配置为朝向封装芯片的目标破膜区域;加热器件和破膜器件;其中,所述加热器件被配置为加热所述破膜部,以使所述破膜部对所述目标破膜区域的覆膜进行加热;所述破膜器件被配置为对目标破膜区域中加热后的覆膜进行破膜。本发明专利技术通过加热器件和破膜器件对需要底部填充的封装器件的目标破膜区域的覆膜进行加热和破膜,在对需要底部填充的封装器件进行低成本且精准地破膜的同时,不影响不需要底部填充的封装器件的封装和产品可靠性,具有较好的芯片封装效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,尤其是一种芯片封装破膜装置、芯片封装方法及芯片封装结构


技术介绍

1、射频模组,指将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上功能的分立器件集成为同一个模组,以提高集成度、增加性能并使其小型化的一种产品,主要应用于移动智能终端类设备。对于前端射频模组类产品而言,包含的声学滤波器与低噪声放大器、功率放大器、射频开关等器件的工艺并不兼容,因此往往采用系统级封装的方式。但由于模组产品进行封装时,有些器件在倒装之后是不能进行使用封装材料进行底部填充的,例如声学滤波器,必须留有空腔以保证其声学滤波性能;而有些器件,例如lna(低噪放)、pa(功放)、sw(开关)等,应当使用封装材料对其底部进行填充,以实现更稳定的产品特性。这两种封装需要的差别使得模组类产品的封装工艺相互不能兼容。

2、现有技术中,通常采用对所有的器件都不进行底部填充,通过在器件表面覆膜的方式,让封装材料不能穿过覆膜进入到器件的底部,但会影响模组产品的稳定性和产品的可靠性;或采用在覆膜之后对需要进行底部填充的器件区域进行激光去膜或者激光破膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片封装破膜装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述破膜部被配置为所述盒体结构的底板和/或至少一个侧板。

3.根据权利要求2所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述加热器件设置于所述盒体结构的内部,被配置为加热所述盒体结构的底板和/或至少一个侧板,以使所述底板和/或至少一个所述侧板对封装芯片上朝向所述底板和/或至少一个所述侧板的目标破膜区域的覆膜进行加热。

4.根据权利要求2所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述破膜器件设置于所述盒体结构的外部,被配置为对封装芯片上朝向所述底板和/或至少一个所述侧板...

【技术特征摘要】

1.一种芯片封装破膜装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述破膜部被配置为所述盒体结构的底板和/或至少一个侧板。

3.根据权利要求2所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述加热器件设置于所述盒体结构的内部,被配置为加热所述盒体结构的底板和/或至少一个侧板,以使所述底板和/或至少一个所述侧板对封装芯片上朝向所述底板和/或至少一个所述侧板的目标破膜区域的覆膜进行加热。

4.根据权利要求2所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述破膜器件设置于所述盒体结构的外部,被配置为对封装芯片上朝向所述底板和/或至少一个所述侧板的目标破膜区域中加热后的覆膜进行破膜。

5.根据权利要求1或4所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述破膜器件包括吸气装置和/或吹气装置。

6.根据权利要求1所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,还包括开设有容纳窗的承载板,所述盒体结构通过容纳窗与承载板连接。

7.根据权利要求6所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述盒体结构的顶板或底板设置有盒体固定结构,所述盒体固定结构被配置为与承载板的容纳窗配合,将所述盒体结构的所述顶板或所述底板固定于所述容纳窗内。

8.根据权利要求6所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述承载板设...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩云姜伟
申请(专利权)人:浙江星曜半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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