【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,尤其是一种芯片封装破膜装置、芯片封装方法及芯片封装结构。
技术介绍
1、射频模组,指将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上功能的分立器件集成为同一个模组,以提高集成度、增加性能并使其小型化的一种产品,主要应用于移动智能终端类设备。对于前端射频模组类产品而言,包含的声学滤波器与低噪声放大器、功率放大器、射频开关等器件的工艺并不兼容,因此往往采用系统级封装的方式。但由于模组产品进行封装时,有些器件在倒装之后是不能进行使用封装材料进行底部填充的,例如声学滤波器,必须留有空腔以保证其声学滤波性能;而有些器件,例如lna(低噪放)、pa(功放)、sw(开关)等,应当使用封装材料对其底部进行填充,以实现更稳定的产品特性。这两种封装需要的差别使得模组类产品的封装工艺相互不能兼容。
2、现有技术中,通常采用对所有的器件都不进行底部填充,通过在器件表面覆膜的方式,让封装材料不能穿过覆膜进入到器件的底部,但会影响模组产品的稳定性和产品的可靠性;或采用在覆膜之后对需要进行底部填充的器件区域进行
...【技术保护点】
1.一种芯片封装破膜装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述破膜部被配置为所述盒体结构的底板和/或至少一个侧板。
3.根据权利要求2所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述加热器件设置于所述盒体结构的内部,被配置为加热所述盒体结构的底板和/或至少一个侧板,以使所述底板和/或至少一个所述侧板对封装芯片上朝向所述底板和/或至少一个所述侧板的目标破膜区域的覆膜进行加热。
4.根据权利要求2所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述破膜器件设置于所述盒体结构的外部,被配置为对封装芯片上朝向所述底板和
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装破膜装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述破膜部被配置为所述盒体结构的底板和/或至少一个侧板。
3.根据权利要求2所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述加热器件设置于所述盒体结构的内部,被配置为加热所述盒体结构的底板和/或至少一个侧板,以使所述底板和/或至少一个所述侧板对封装芯片上朝向所述底板和/或至少一个所述侧板的目标破膜区域的覆膜进行加热。
4.根据权利要求2所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述破膜器件设置于所述盒体结构的外部,被配置为对封装芯片上朝向所述底板和/或至少一个所述侧板的目标破膜区域中加热后的覆膜进行破膜。
5.根据权利要求1或4所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述破膜器件包括吸气装置和/或吹气装置。
6.根据权利要求1所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,还包括开设有容纳窗的承载板,所述盒体结构通过容纳窗与承载板连接。
7.根据权利要求6所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述盒体结构的顶板或底板设置有盒体固定结构,所述盒体固定结构被配置为与承载板的容纳窗配合,将所述盒体结构的所述顶板或所述底板固定于所述容纳窗内。
8.根据权利要求6所述的芯片封装破膜装置,其特征在于,所述承载板设...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩云,姜伟,
申请(专利权)人:浙江星曜半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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