【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及复合材料，具体为一种低介电常数复合薄膜及其制备方法。
技术介绍
1、近年来，随着微电子工业、5g通信等的高速发展，对电子产品具备高集成、耐高频、高速和高功率特性的要求越来越高，特别是集成电路器件的集成度的不断提高和元件尺寸的不断缩小、布线密度逐渐增加，导致线路中电容、电阻不断增强，电路元件或导线之间的非期望的相互影响明显增加，进而导致信号传输滞后、串扰和功耗增加；
2、研究表明，介质材料的介电常数(ε)与介质损耗(tanδ)对信号的传输速度和传输损耗起主要控制作用，为此，制备高频工况下具有低介电常数、低介电损耗性能的介电材料、以满足高频高速信号传输网络领域对终端电子器件的介电性能要求，已成为该领域的研究热点；
3、针对上述问题，专利技术人提出一种低介电常数复合薄膜及其制备方法用于解决上述问题。
技术实现思路
1、为了解决上述问题；本专利技术的目的在于提供一种低介电常数复合薄膜及其制备方法。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案...
【技术保护点】
1.一种低介电常数复合薄膜，包括由中间层(1)、底层(2)和表面层(3)组成，其特征在于：所述中间层(1)为双捻聚四氟乙烯纤维材料制备而成，所述底层(2)和表面层(3)均为聚酰亚胺材料制备而成。
2.一种应用于权利要求1所述的低介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的一种低介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于，在S1中，所述聚四氟乙烯纤维的纤度为10dTex～100Tex，捻度为20-600T/m。
4.如权利要求2所述的一种低介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于，在S2中，所述整经宽度根据...
【技术特征摘要】
1.一种低介电常数复合薄膜，包括由中间层(1)、底层(2)和表面层(3)组成，其特征在于：所述中间层(1)为双捻聚四氟乙烯纤维材料制备而成，所述底层(2)和表面层(3)均为聚酰亚胺材料制备而成。
2.一种应用于权利要求1所述的低介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的一种低介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于，在s1中，所述聚四氟乙烯纤维的纤度为10dtex～100tex，捻度为20-600t/m。
4.如权利要求2所述的一种低介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于，在s2中，所述整经宽度根据膜的设计宽度，在0-2m范围内调节。
5.如权利要求2所述的一种低介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于，在s3中，所述浸渍液为聚四氟乙烯分散液、聚酰胺酸溶液、聚酰亚胺溶液或聚苯硫醚溶液中的任意一种。
6.如权利要求2所述的一种低介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述挤压设备包括挤压操作台(4)，所述烘干设备包括烘干操作台(5)，所述挤压操作台(4)的上表面固定安装有u型设备架(41)，所述挤压操作台(4)和u型设备架(41)上设有挤压机构(6)，所述烘干操作台(5)的上表面分别固定安装有第一烘箱(51)和第二烘箱(52)，所述第一烘箱(51)和第二烘箱(52)的上表面均开设有均匀分布的若干散热槽(53)，所述第一烘箱(51)和第二烘箱(52)的一侧均开设有导入槽(54)，所述第一烘箱(51)和第二烘箱(52)远离导入槽(54)的一侧均开设有导出槽(55)，所述第一烘箱(51)和第二烘箱(52)的另一侧均铰接安装有箱门(56)，所述第一烘箱(51)和第二烘箱(52)内设有烘干机构(8)。
7.如权利要求6所述的一种低介电常数复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述挤压机构(6)包括第一挤压辊(65)和第一固定辊(62)，所述第一固定辊(62)与第一挤压辊(65)竖直对应，所述u型设备架(41)的内壁转动安装有第一转轴(61)，所述第一固定辊(62)固定安装在第一转轴(61)上，所述u型设备架(41)的内部滑动设有u型架(63)，所述u型架(63)的内壁转动安装有第二转轴(64)，所述第一挤压辊(65)...
【专利技术属性】
技术研发人员：傅雅琴，史帅达，彭琨，司银松，
申请(专利权)人：浙江理工大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。