一种高压LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种高压LED芯片及其制作方法，将第一发光外延至第N发光外延沿第一方向上叠层设置，由此使得高压LED芯片的整体面积与单个发光外延的面积的差异相差较小，进而在将所有发光外延串联电连接而实现高压LED芯片的功能基础上，有效减小了高压LED芯片的面积，利于高压LED芯片的集成封装。同时，本发明专利技术提供的第一发光外延至第N发光外延可以进行相同发光颜色的设计，以实现高压LED芯片的发光强度的提升。或者第一发光外延至第N发光外延还可以设计为至少一个发光颜色与其他不同以实现混光，从而实现更加丰富的出光效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，更为具体地说，涉及一种高压led(light-emittingdiode，发光二极管)芯片及其制作方法。

技术介绍

1、高压led芯片通过多颗led芯片串联获得，在同样输出功率下，高压led芯片所需的驱动电流远远小于低压led芯片，所以同样输出功率的高压led芯片在工作时其他负载耗散的功率要远小于低压led芯片，因此装载高压led芯片整个模组的产热量就会减小，使得高压led芯片的散热外壳的成本大大降低。另外，高压led芯片可以大幅降低ac/dc转换效率损失，因为输入和输出压差越低，ac/dc的转换效率就越高，这一热耗的减少可进一步降低高压led芯片的散热外壳的成本。虽然高压led芯片具有诸多优势，但是，现有高压led芯片通过多颗led在水平方向上连接实现，相对于单颗led芯片的面积较大，不利于高压led芯片的集成封装。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种高压led芯片及其制作方法，有效解决现有技术存在的技术问题，将第一发光外延至第n发光外延叠层设置并串联电连接，在实现高压l本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高压LED芯片，其特征在于，所述高压LED芯片包括：

2.根据权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述第i+1发光外延的第一半导体层朝向所述固定衬底一侧设置有第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层包括有多个第一通孔，所述第一通孔内设置有第一键合电极与所述第i+1发光外延的第一半导体层电连接；

3.根据权利要求2所述的高压LED芯片，其特征在于，所述高压LED芯片包括：位于所述第N发光外延的第二半导体层背离所述固定衬底一侧的外接电极；

4.根据权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述高压LED芯片还包括位于所述固定衬底和所述第一发光外延...

【技术特征摘要】

1.一种高压led芯片，其特征在于，所述高压led芯片包括：

2.根据权利要求1所述的高压led芯片，其特征在于，所述第i+1发光外延的第一半导体层朝向所述固定衬底一侧设置有第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层包括有多个第一通孔，所述第一通孔内设置有第一键合电极与所述第i+1发光外延的第一半导体层电连接；

3.根据权利要求2所述的高压led芯片，其特征在于，所述高压led芯片包括：位于所述第n发光外延的第二半导体层背离所述固定衬底一侧的外接电极；

4.根据权利要求1所述的高压led芯片，其特征在于，所述高压led芯片还包括位于所述固定衬底和所述第一发光外延之间的反射镜。

5.根据权利要求4所述的高压led芯片，其特征在于，所述固定衬底为导电衬底；

【专利技术属性】
技术研发人员：赵斌，罗桂兰，杨克伟，曲晓东，陈凯轩，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：