【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及检测诸如放射线或光的能量射线的检测器和包括检测器的检测系统。
技术介绍
1、作为能够检测诸如可见光和x射线的能量射线的检测器，已知具有互补金属氧化物半导体(cmos)传感器的像素结构的检测器。jp2004-312039a描述了一种光电转换元件，该光电转换元件包括已知为埋入式光电二极管的结构，在该埋入式光电二极管中，用于将光转换成电荷的电荷生成区域被埋入在基板中。该光电转换元件包括第一导电类型的电荷生成区域、覆盖电荷生成区域的第二导电类型的半导体区域、以及与电荷生成区域相同的导电类型并且杂质浓度高于电荷生成区域的杂质浓度的电极区域。
2、然而，当检测器曝露于放射线时，绝缘膜中的缺陷由于放射线的总剂量效应而增加。在jp2004-312039a中描述的结构中，第二导电类型的半导体区域和第一导电类型的电极区域在基板的表面上彼此相邻，并且从其间的pn结扩展的耗尽层与绝缘膜接触。因此，当绝缘膜中的缺陷由于放射线曝露而增加时，从耗尽层与绝缘膜之间的界面生成的暗电流可能增加。
技术实现思路<...
【技术保护点】
1.一种检测器，包括：
2.根据权利要求1所述的检测器，
3.根据权利要求2所述的检测器，还包括：
4.根据权利要求2所述的检测器，还包括：
5.根据权利要求1所述的检测器，还包括：
6.根据权利要求5所述的检测器，
7.根据权利要求1所述的检测器，
8.根据权利要求7所述的检测器，
9.根据权利要求1所述的检测器，
10.根据权利要求1所述的检测器，
11.根据权利要求1所述的检测器，
12.根据权利要求1所述的检测器，
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【技术特征摘要】
1.一种检测器，包括：
2.根据权利要求1所述的检测器，
3.根据权利要求2所述的检测器，还包括：
4.根据权利要求2所述的检测器，还包括：
5.根据权利要求1所述的检测器，还包括：
6.根据权利要求5所述的检测器，
7.根据权利要求1所述的检测器，
8.根据权利要求7所述的检测器，
9.根据权利要求1所述的检测器，
10.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：和田全平，渡边高典，大泽和嵩，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：
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