一种纳米线焊接装置制造方法及图纸

技术编号:42305618 阅读:34 留言:0更新日期:2024-08-14 15:52
本技术属于纳米线焊接装置技术领域,具体涉及一种纳米线焊接装置,包括:样品台,其上供承载待焊接底座和位于待焊接底座上方的纳米线;遮蔽件,其置于所述样品台上,其至少部分位于纳米线的非焊接部位的外围,形成遮蔽;蒸发舟,其位于所述样品台上方且其位于所述遮蔽件的远离纳米线的待焊接部位的一侧,其内设置有金属焊接剂且其一端开口,开口一端朝向纳米线的待焊接部位,以对待焊接部位进行金属喷涌焊接;显微装置,其位于所述纳米线的待焊接部位的上方,其包括探测束源,所述蒸发舟、遮蔽件、样品台沿探测束源的行进方向依次排布。本技术能在不改变纳米线材料本身结构的同时,提高纳米线与底座的接触电导性能,实现纳米线的焊接。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于纳米线焊接装置,具体涉及一种纳米线焊接装置。


技术介绍

1、随着纳米技术的发展,器件的尺寸越来越小。在现有技术中,经常涉及微纳材料的组装焊接等过程。纳米线作为一种极其重要的材料,在阴极电子发射源、微纳电路中具有重要的应用。

2、然而,目前的纳米线焊接方法,主要采用电子束/离子束焊接方法,其弊端在于,一方面,高能电子束辐射下容易造成纳米线材料的结构改变,另一方面,由于焊接剂材料如碳材料的导电能力较差,造成纳米线焊接位置的接触电阻过高,限制了纳米线的实际应用能力。


技术实现思路

1、本技术的目的是为了克服现有技术存在的焊接方法造成纳米线焊接接触电阻过高的缺陷,提供一种纳米线焊接装置,该纳米线焊接装置能在不改变纳米线材料本身结构的同时,提高纳米线与底座的接触电导性能,实现纳米线的焊接。

2、为了实现上述目的,本技术提供了一种纳米线焊接装置,包括:

3、样品台,其上供承载待焊接底座和位于待焊接底座上方的纳米线;

4、遮蔽件,其置于所述样品台上,其至少部分位于纳本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种纳米线焊接装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的纳米线焊接装置,其特征在于,所述遮蔽件包括放置平台和遮蔽部,放置平台上承载纳米线和待焊接底座,遮蔽部至少部分设置在放置平台的一侧上方,且屏蔽部与放置平台的相应一侧之间形成遮蔽腔,放置平台的另一侧沿遮蔽部的水平方向向外伸出以承载待焊接部位。

3.根据权利要求2所述的纳米线焊接装置,其特征在于,所述遮蔽部环绕在放置平台一侧的上方和侧面且仅保留一侧面开口,该开口的尺寸大于纳米线和待焊接底座的高度之和,纳米线的非焊接部位通过该开口插入遮蔽部内。

4.根据权利要求2或3所述的纳米线焊接装置,其特...

【技术特征摘要】

1.一种纳米线焊接装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的纳米线焊接装置,其特征在于,所述遮蔽件包括放置平台和遮蔽部,放置平台上承载纳米线和待焊接底座,遮蔽部至少部分设置在放置平台的一侧上方,且屏蔽部与放置平台的相应一侧之间形成遮蔽腔,放置平台的另一侧沿遮蔽部的水平方向向外伸出以承载待焊接部位。

3.根据权利要求2所述的纳米线焊接装置,其特征在于,所述遮蔽部环绕在放置平台一侧的上方和侧面且仅保留一侧面开口,该开口的尺寸大于纳米线和待焊接底座的高度之和,纳米线的非焊接部位通过该开口插入遮蔽部内。

4.根据权利要求2或3所述的纳米线焊接装置,其特征在于,所述遮蔽腔上端面的远离待焊接部位的内侧的高度高于其上端面的靠近待焊接部位的外侧的高度。

5.根据权利要求4所述的纳米线焊接装置,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:方小伟郑哲
申请(专利权)人:合肥国镜仪器科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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