【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体用合金制备的，涉及一种钛硅合金的制备方法。
技术介绍
1、随着超大规模集成电路的飞速发展，芯片制造工艺中镀膜工艺、膜性能的要求也越来越高。钛硅合金为金属间化合物，是一种真空溅射镀膜用材料，通过调整钛和硅的比例可以获得具有不同特性的钛硅合金材料。钛硅材料在反应沉积过程中与氮气反应，可以形成超硬的氮化物涂层。涂层中硅元素发挥高抗氧化性，钛元素用于提高硬度，即便在极高的温度下，氮化钛硅涂层也有很优异的耐磨性。
2、现有钛硅合金的制备方法主要有熔炼法和粉末冶金法两种。cn110257783b公开了一种钛硅合金靶材的低成本制备方法，包括以下步骤：a、混料：将海绵钛与结晶硅按比例均匀混合；b、电极压制：将混合好的原料压制成电极棒，再将电极棒进行加热；c、一次自耗熔炼：在保护性气氛下，将加热后的电极棒焊接，然后进行第一次真空自耗熔炼，得到钛硅合金一次锭；d、焊接：将钛硅合金一次锭的两端平头后，利用真空电子束焊接技术将钛硅合金一次锭组合后焊接，得电极料；e、二次自耗熔炼：将电极料进行第二次真空自耗熔炼，得到钛硅合金二次锭...
【技术保护点】
1.一种钛硅合金的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述钛原料和硅原料的原子比为(86.3～95):(5～13.7)；
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述磁悬浮熔炼的次数≥3次；
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述磁悬浮熔炼的温度为1850～1950℃；
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述真空感应熔炼包括依次进行的抽真空，升温处理和降温处理；
...【技术特征摘要】
1.一种钛硅合金的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述钛原料和硅原料的原子比为(86.3～95):(5～13.7)；
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述磁悬浮熔炼的次数≥3次；
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述磁悬浮熔炼的温度为1850～1950℃；
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述真空感应熔炼包括依次进行的抽真空，升温处理和降温处理；
【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，慕二龙，陈石，周友平，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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