【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超大规模集成电路可测性设计,具体是公开一种芯粒延迟故障测试电路及方法,属于测量、测试的。
技术介绍
1、芯粒(chiplet)技术通过内部互连技术将多个小芯片集成到一个封装中,形成专用功能芯片,从而解决芯片规模不能无限扩大、开发成本高、制造周期长等问题。chiplet采用2.5d、3d等先进封装技术,实现了高性能片上互连,提高了芯片系统的集成度,扩大了其性能和功耗的优化空间,克服了目前ic开发的物理和材料限制。
2、3d chiplet使用基于硅通孔(through silicon vias,tsv)的互连结构取代了过长的全局布线,减少了传输延迟,降低了功耗,提高了系统性能,但与任何半导体工艺一样,在制造、芯片键合和组装过程中,空洞缺陷、漏电缺陷、tsv微衬底未对齐缺陷的引入会引发延时故障,因此有必要检测tsv中的延迟故障,但是由于这些延迟量足够小,无法在常规逻辑测试中检测到。此外,tsv测试包括绑定前和绑定后阶段,由于绑定后阶段对于tsv的访问资源有限,测试更加困难。
3、3d chiplet的互
...【技术保护点】
1.一种芯粒延迟故障测试电路,其特征在于,用于对包含至少两层芯粒的Chiplet系统进行延时故障测试,每层芯粒插入一个测试电路;其中,
2.根据权利要求1所述一种芯粒延迟故障测试电路,其特征在于,所述芯粒测试访问控制电路包括:
3.根据权利要求2所述一种芯粒延迟故障测试电路,其特征在于,所述时间数字转换输入单元均包括:延迟模块A、延迟模块B以及扫描测试模块;
4.根据权利要求2所述一种芯粒延迟故障测试电路,其特征在于,所述时间数字转换输出单元均包括:延迟模块A、延迟模块B、扫描测试模块及输出模块;
5.根据权利要求3或4
...【技术特征摘要】
1.一种芯粒延迟故障测试电路,其特征在于,用于对包含至少两层芯粒的chiplet系统进行延时故障测试,每层芯粒插入一个测试电路;其中,
2.根据权利要求1所述一种芯粒延迟故障测试电路,其特征在于,所述芯粒测试访问控制电路包括:
3.根据权利要求2所述一种芯粒延迟故障测试电路,其特征在于,所述时间数字转换输入单元均包括:延迟模块a、延迟模块b以及扫描测试模块;
4.根据权利要求2所述一种芯粒延迟故障测试电路,其特征在于,所述时间数字转换输出单元均包括:延迟模块a、延迟模块b、扫描测试模块及输出模块;
5.根据权利要求3或4所述一种芯粒延迟...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘小婷,蔡志匡,张学伟,嵇苏宁,洪浩斐,孙海燕,解维坤,姚佳飞,王子轩,徐彬彬,郭宇锋,
申请(专利权)人:南京邮电大学,
类型:发明
国别省市:
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