【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示,具体涉及一种像素结构及显示面板。
技术介绍
1、像素结构中,不同层的金属层和透明导电层通过导电过孔桥接。由于透明导电层ito的电阻相对较大,在深孔中ito深度较大,导致过孔内的阻抗相对较大。因此,如何减小透明导电过孔内的阻抗,成为需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请提供了一种减小透明导电过孔内的阻抗的像素结构及显示面板。
2、第一方面,本申请实施例提供的一种像素结构,像素结构包括:
3、金属连接线,所述金属连接线具有连接区;
4、绝缘层,覆盖所述金属连接线,所述绝缘层具有导电过孔,所述导电过孔的一端对应于所述连接区,所述连接区的至少部分经所述导电过孔露出;
5、金属垫层,所述金属垫层设于所述导电过孔内,所述金属垫层与所述金属连接线的连接区电接触;
6、透明导电部,所述透明导电部设于所述绝缘层上,所述透明导电部的至少部分设于所述导电过孔内,并与所述金属垫层电接触。
7、本申请提供的像素结构,通过
...【技术保护点】
1.一种像素结构,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括多列数据线、多个TFT单元及多个像素电极,所述TFT单元包括源极及漏极,所述多列数据线、所述源极、所述漏极及所述金属垫层通过同一金属层制得;所述透明导电部与所述像素电极位于同一层,所述透明导电部电连接所述像素电极。
3.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括多列公共电极走线,每条所述公共电极走线位于相邻的两列所述数据线之间,所述公共电极走线与所述数据线通过同一金属层制得,每条所述公共电极走线包括第一走线部及第二走线部,所述第一
...【技术特征摘要】
1.一种像素结构,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括多列数据线、多个tft单元及多个像素电极,所述tft单元包括源极及漏极,所述多列数据线、所述源极、所述漏极及所述金属垫层通过同一金属层制得;所述透明导电部与所述像素电极位于同一层,所述透明导电部电连接所述像素电极。
3.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括多列公共电极走线,每条所述公共电极走线位于相邻的两列所述数据线之间,所述公共电极走线与所述数据线通过同一金属层制得,每条所述公共电极走线包括第一走线部及第二走线部,所述第一走线部位于相邻两列所述像素电极之间,所述第二走线部位于所述tft单元的源极与所述金属垫层之间,所述第二走线部的宽度小于所述第一走线部的宽度。
4.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括公共电极层及多列公共电极走线,所述公共电极层位于所述透明导电部所在层与所述金属垫层所在层之间,所述公共电极走线与所述数据线通过同一金属层制得,每条所述公共电极走线包括断开设置的第三走线部及第四走线部,所述公共电极走线与所述公共电极层之间设有第一导电连接部及第二导电连接部;
5.如权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述源极电接触所述金属连接线,所述像素结构还包括...
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