一种高蚀刻速率、高选择比氮化钛蚀刻液及其制备方法与用途技术

本发明专利技术涉及一种高蚀刻速率、高选择比氮化钛蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：复合功能剂12‑20份；保护剂0.2‑0.9份；无机酸0.1‑0.6份；氧化剂3‑10份；有机溶剂15‑25份；超纯水30‑50份；其中，所述的复合功能剂是钠盐和醇类化合物组合物。本发明专利技术还公开上述蚀刻液的制备方法与用途。复合功能剂通过钠盐和醇类化合物协同作用，将溶液中分散的钛离子和氮离子更快的络合。保护剂和金属铜离子形成配位键，强烈吸附在金属铜表面，形成一层致密的薄膜。从而减缓金属铜的腐蚀，使本发明专利技术的氮化钛蚀刻液针对铜和氮化钛的蚀刻具有更高选择比，且对非金属氧化物具有较低的腐蚀速率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造工艺领域，尤其涉及一种高蚀刻速率、高选择比氮化钛蚀刻液及其制备方法与用途。

技术介绍

1、半导体业界微电子器件、硅芯片、液晶显示器、微型机电系统(mems)、印刷线路板等中的电子电路和电子元件的尺寸正在快速地减小，其密度不断增加。随着每个电路层之间的绝缘层的厚度不断减小以及特征尺寸越来越小，集成电路需要通过分层或堆叠来达到互连的目的。

2、电路层之间的特征尺寸的缩小，图案变得越来越小，器件性能参数要求越来越严格和稳健。由于较小的特征尺寸，器件和互连本身产生的容错率下降成为一个棘手的问题。迹线(trace)互联故障机制对器件性能和可靠性的影响对于集成方案、互联材料和工艺产生更高的要求。

3、金属铜在半导体制造中被广泛应用于电子元件的金属导电层、栅极、阻挡层或通孔。同样的，集成电路制造中广泛使用氮化钛材料，氮化钛(钛基金属)常在半导体器件、液晶面板和印刷接线板等中作底层、覆盖层和阻挡层。因此，在铜制程发展中，常常需要对铜及氮化钛进行选择性蚀刻。

4、传统半导体使用二氧化硅作为介电材料。low-k材料主本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高蚀刻速率、高选择比氮化钛蚀刻液，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：

2.根据权利要求1所述的高蚀刻速率、高选择比氮化钛蚀刻液，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的高蚀刻速率、高选择比氮化钛蚀刻液，其特征在于：所述的保护剂为尿嘧啶、胸腺嘧啶、磺胺嘧啶、胞嘧啶、2-硫脲嘧啶、三氨基嘧啶、四氢嘧啶中的任意一种或几种。

4.根据权利要求1所述的高蚀刻速率、高选择比氮化钛蚀刻液，其特征在于：所述的无机酸为硝酸、硫酸、盐酸、硼酸中的任意一种或几种。

5.根据权利要求1所述的高蚀刻速率、高选择比氮化钛蚀刻液，其特征在于：所述的氧化剂为...

【技术特征摘要】

1.一种高蚀刻速率、高选择比氮化钛蚀刻液，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：

2.根据权利要求1所述的高蚀刻速率、高选择比氮化钛蚀刻液，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的高蚀刻速率、高选择比氮化钛蚀刻液，其特征在于：所述的保护剂为尿嘧啶、胸腺嘧啶、磺胺嘧啶、胞嘧啶、2-硫脲嘧啶、三氨基嘧啶、四氢嘧啶中的任意一种或几种。

4.根据权利要求1所述的高蚀刻速率、高选择比氮化钛蚀刻液，其特征在于：所述的无机酸为硝酸、硫酸、盐酸、硼酸中的任意一种或几种。

5.根据权利要求1所述的高蚀刻速率、高选择比氮化钛蚀刻液，其特征在于：所述的氧化剂为高锰酸钾、过硫酸铵、过氧化氢、重...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，吕晶，赖鑫，陶爽，
申请(专利权)人：浙江奥首材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：