晶圆制造方法技术

本发明专利技术涉及晶圆制造方法。从c轴以将中心轴(L)向偏离角方向(Dθ)上倾斜超过0度的偏离角后的状态设置的锭(2)得到晶圆的晶圆制造方法包含以下的过程、工序、或处理。通过对锭的高度方向上的一端侧的表面(21)照射具有透过性的激光束，在从表面起与晶圆的厚度对应的深度形成剥离层(25)。通过在偏离角方向上的锭的一端(23)沿一个方向施加负载，从而将作为锭的表面与剥离层之间的部分的晶圆前躯体(26)在剥离层从锭剥离。通过使通过从锭剥离晶圆前躯体从而得到的板状的剥离体的主面平坦化，从而得到晶圆。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及晶圆制造方法。

技术介绍

1、专利文献1提供能够从锭高效地生成晶圆的晶圆的生成方法。具体而言，专利文献1所记载的晶圆的生成方法包含分离起点形成步骤和晶圆剥离步骤。分离起点形成步骤将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距表面相当于生成的晶圆的厚度的深度，并且使聚光点与锭相对地移动来将激光束照射至表面。由此，形成与表面平行的改质层以及从该改质层沿着c面伸长的裂痕，形成分离起点。晶圆剥离步骤将形成有分离起点的六方晶单晶锭浸渍到水中并且施加超声波振动，来将板状物从六方晶单晶锭剥离。

2、专利文献1：日本专利第6391471号公报

3、在专利文献1所记载的晶圆的生成方法中，在通过超声波振动而解理发展时，在锭的高度方向上的剥离位置产生偏差。于是，在剥离后形成的表面产生阶梯差而磨削、研磨的加工余量变大，或产生剥离不良，由此制造效率变差。

技术实现思路

1、本公开是鉴于上述例示的情况等而完成的。即，本公开例如提供与以往相比制造效率较高的晶圆制造方法。p>

2、根据本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆制造方法，是从由单晶SiC构成并具有相互正交的c轴(Lc)和C面(Pc)的锭(2)得到晶圆(1)的晶圆制造方法，其中，包含：

2.根据权利要求1所述的晶圆制造方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的晶圆制造方法，其中，

4.根据权利要求2所述的晶圆制造方法，其中，

5.根据权利要求1～3中任一项所述的晶圆制造方法，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的晶圆制造方法，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的晶圆制造方法，其中，

8.根据权利要求7所述的晶圆制造方法，其中，

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种晶圆制造方法，是从由单晶sic构成并具有相互正交的c轴(lc)和c面(pc)的锭(2)得到晶圆(1)的晶圆制造方法，其中，包含：

2.根据权利要求1所述的晶圆制造方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的晶圆制造方法，其中，

4.根据权利要求2所述的晶圆制造方法，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：安田浩一朗，高木亮汰，河津知树，野村飒大，白井秀彰，巴赫曼·苏丹尼，傍岛骏介，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载 我是这个专利的主人