一种高压压敏电阻及其制备方法技术

技术编号:4220807 阅读:205 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种高压压敏电阻及其制备方法,将占原料总重量的75-94%ZnO、占1-6%Bi2O3、占2-7%Sb2O3、占0.5-2%MnCO3、占0.5-2%Co2O3、占0.5-2%Cr2O3、占0.5-2%Ni2O3、占0.5-2%SiO2、占0.1-10%R2O3,其中R2O3为Pr6O11,Dy2O3,Y2O3中的一种或几种,比例任意,在高能球磨作用下球磨,再经过喷雾、造粒、成型、烧结最后制得高压压敏电阻,具有制备工艺简单、成本低,易于规模化生产的特点,且制备的材料具有高电压梯度、高非线性以及低漏电流优良的综合性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料科学领域,特别涉及。
技术介绍
Zn0压敏电阻相比SiC等其它压敏材料来说,由于其具有优良的非线性系数、良好 的浪涌吸收能力以及良好的温度系数而得到越来越广泛的应用。随着电子、电力工业的发 展,对电力设备的可靠性、经济性以及小型化等诸多方面的要求越来越高。高压压敏电阻的 电压梯度比普通压敏电阻的高很多,可以实现相同电压下减小压敏电阻重量,减小体积和 占地面积,实现轻量化、小型化。目前,避雷器所用压敏电阻的电位梯度在200V/mm左右,不 能满足避雷器小型化的性能要求。 近年来,国内外对在提高压敏电阻电位梯度方面进行了大量的研究工作,也取得 了很大的进展,主要集中在原料超细化、纳米化,添加稀土氧化物以及快速烧成等方面。但 以上方法也存在如成本高、易团聚、难以产业化等缺点,刘宏玉等人(硅酸盐学报,2006, 34(4) :483-486)虽然用高能球磨工艺制备了高压压敏材料,但对所有组分进行高能球磨 显然存在产量小、成本高等缺点,不能进行大生产。如何制备易于规模化生产的低成本高压 压敏电阻仍然是该类产品今后的研发重点。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的不足,本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压压敏电阻,其特征在于,其原料组成重量百分比为:ZnO占原料总重量的75-94%、Bi↓[2]O↓[3]占1-6%、Sb↓[2]O↓[3]占2-7%、MnCO↓[3]占0.5-2%、Co↓[2]O↓[3]占0.5-2%、Cr↓[2]O↓[3]占0.5-2%、Ni↓[2]O↓[3]占0.5-2%、SiO↓[2]占0.5-2%、R↓[2]O↓[3]占0.1-10%,其中R↓[2]O↓[3]为Pr↓[6]O↓[11]、Dy↓[2]O↓[3]和Y↓[2]O↓[3]中的一种或几种,比例任意。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:朱建锋杨海波王芬徐春英蒲亚娥吴杨齐国权
申请(专利权)人:陕西科技大学
类型:发明
国别省市:87[中国|西安]

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