一种浆料组合物及其用途制造技术

本申请提供了一种浆料组合物及其用途。该浆料组合物包括磨料、至少一种第一化合物、至少一种第二化合物以及调节助剂和溶剂。其中，第一化合物具有能够亲核进攻Si‑Si键的基团或具有能够与硅酸反应生成硅酸盐的基团。第二化合物具有能够与羟基形成氢键作用的基团或具有疏水基团。第二化合物占浆料组合物的质量分数与第一化合物占浆料组合物的质量分数之比大于1，以提高整平化效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及材料领域，具体涉及一种浆料组合物及其用途。

技术介绍

1、硅(如多晶硅和单晶硅)的整平化处理工艺是实现多层布线金属互连结构的关键。对于传统平面场效应晶体管(planar field effect transistor，planar fet)，由于其不存在阶梯高度(step height)，因此不需要对多晶硅进行整平处理。但在三维场效应晶体管中，由于存在三维鳍式场效应晶体管(three dimensional fin field-effecttransistor，3d finfet)结构，为了实现伪非晶硅栅(dummy poly gate)的整平化，便于后续工艺的进行，则需要对多晶硅进行整平处理。在硅的整平处理中，期望实现多晶硅的快速去除，以及氮化硅或氧化硅的慢速去除。即相对于氮化硅或氧化硅，可选择性地快速去除多晶硅，这就要求浆料对多晶硅和其它材料(氮化硅或氧化硅)的去除速率具有高选择比。但是，浆料具有高选择比的同时，往往会导致碟形凹陷现象的发生，降低多晶硅的整平化效果。因此，目前的浆料还无法兼顾硅的高速去除以及高选择比和低碟形凹陷，进而导致多晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种浆料组合物，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的浆料组合物，其特征在于，所述第一化合物选自含有-N、-NH、-NH2、-S、-SH基团的化合物。

3.根据权利要求2所述的浆料组合物，其特征在于，所述第一化合物的分子结构中含有氨基或巯基中的至少一种，且氨基和/或巯基位于所述第一化合物的分子结构的自由端。

4.根据权利要求1-3任一项所述的浆料组合物，其特征在于，所述第一化合物选自以下化合物中的至少一种：

5.根据权利要求1-4任一项所述的浆料组合物，其特征在于，所述第一化合物的重均分子量为20-10000。

6.根...

【技术特征摘要】

1.一种浆料组合物，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的浆料组合物，其特征在于，所述第一化合物选自含有-n、-nh、-nh2、-s、-sh基团的化合物。

3.根据权利要求2所述的浆料组合物，其特征在于，所述第一化合物的分子结构中含有氨基或巯基中的至少一种，且氨基和/或巯基位于所述第一化合物的分子结构的自由端。

4.根据权利要求1-3任一项所述的浆料组合物，其特征在于，所述第一化合物选自以下化合物中的至少一种：

5.根据权利要求1-4任一项所述的浆料组合物，其特征在于，所述第一化合物的重均分子量为20-10000。

6.根据权利要求1-5任一项所述的浆料组合物，其特征在于，所述第一化合物在所述浆料组合物中的质量占比为0.0001％-10％。

7.根据权利要求1-6任一项所述的浆料组合物，其特征在于，所述第二化合物选自含有叔胺基、季胺基、羧酸基、磺酸基、磷酸基、硫酸基、羟基、醚基、胺基以及酰胺基中至少一种基团的水溶性化合物。

8.根据权利要求7所述的浆料组合物，其特征在于，所述第二化合物选自聚乙二醇、聚乙烯醇、聚丙烯醇、聚丙烯酰胺、聚丙烯酸、聚乙烯吡咯烷酮、羧甲基淀粉、醋酸淀粉、羟甲基纤维素、羧甲基纤维素、聚马来酸酐、聚季胺盐、聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：珠海基石科技有限公司，
类型：发明
国别省市：