氧化物膜和氧化物溅射靶制造技术

本公开的课题在于提供一种低载流子浓度且高载流子迁移率的氧化物膜和适合于形成该氧化物膜的氧化物溅射靶。一种氧化物膜，其特征在于，所述氧化物膜含有锌(Zn)、锡(Sn)、铝(Al)和氧(O)，并且满足下式(1)～(3)：(1)3×Sn/Zn＜Al；(2)Al/(Al+Sn+Zn)≤0.10；(3)0.33≤Sn/(Sn+Zn)≤0.60，其中，在式中，Al、Sn、Zn分别表示氧化物膜中的各元素的原子比。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及氧化物膜和氧化物溅射靶。

技术介绍

1、作为透明导电膜、氧化物半导体膜的材料，已知zn-sn-o类(zto：锌锡氧化物)。透明导电膜例如被用于太阳能电池、液晶表面元件、触控面板等(专利文献1等)。另外，氧化物半导体膜被用作薄膜晶体管(tft)的半导体层(沟道层)(专利文献2等)。zto类的膜通常使用包含zn-sn-o类的氧化物烧结体的溅射靶形成。

2、已知添加有其它金属元素的zn-sn-o类的氧化物膜。例如，在专利文献3、4中公开了使用由氧化锌、氧化镓、氧化锡制作的氧化物溅射靶形成薄膜。专利文献3中记载了其课题在于制作体电阻低且高密度的氧化物溅射靶、以及提供相对于金属薄膜能够进行选择性蚀刻的透明且非晶的氧化物半导体膜。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2017-36198号公报

6、专利文献2：日本特开2010-37161号公报

7、专利文献3：日本特开2010-18457号公报

8、专利文献4：日本特表2016-507004号公报

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【技术保护点】

1.一种氧化物膜，其特征在于，所述氧化物膜含有锌(Zn)、锡(Sn)、铝(Al)和氧(O)，并且满足下式(1)～(3)：

2.根据权利要求1所述的氧化物膜，其特征在于，所述氧化物膜的载流子迁移率为5.0cm2/V·s以上。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物膜，其特征在于，所述氧化物膜的载流子浓度为1.0×1018cm-3以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的氧化物膜，其特征在于，所述氧化物膜的折射率为2.15以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物膜，其特征在于，所述氧化物膜的消光系数为0.02以下。</p>

6.一种...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种氧化物膜，其特征在于，所述氧化物膜含有锌(zn)、锡(sn)、铝(al)和氧(o)，并且满足下式(1)～(3)：

2.根据权利要求1所述的氧化物膜，其特征在于，所述氧化物膜的载流子迁移率为5.0cm2/v·s以上。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物膜，其特征在于，所述氧化物膜的载流子浓度为1.0×1018cm-3以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的氧化物膜，其特征在于，所述氧化物膜的折射率为2.15以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物膜，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本浩由，奈良淳史，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：