一种背照式图像传感器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种背照式图像传感器及其制备方法，背照式图像传感器包括依次设置在衬底的第一半导体材料层、第二半导体材料层和第三半导体材料层，第三半导体材料层、第二半导体材料层和第一半导体材料层中设置有第一深沟槽结构，第三半导体材料层和第二半导体材料层中设置有第二深沟槽结构，每个第一深沟槽结构和一第二深沟槽结构相邻设置，相邻第一深沟槽结构和第二深沟槽结构之间构成像素单元，像素单元上形成有叠层格栅结构，第一半导体材料层、第二半导体材料层和第三半导体材料层中均掺杂有四价元素，且掺杂的四价元素的原子重量由下至上依次减少，可以解决现有技术中因离子注入形成的像素单元造成的干扰效应问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种背照式图像传感器及其制备方法。

技术介绍

1、图像传感器是指光学图像转换成像素信号输出的设备。图像传感器包括电荷耦合器件（ccd）与互补金属氧化物半导体（cmos）图像传感器。cmos图像传感器一般分为前照式（fsi）图像传感器和背照式（bsi）图像传感器两种。背照式图像传感器将感光层的元件（例如微透镜和光电二极管）设置在基底的背面一侧，并允许光通过背侧进入并由光电二极管检测，由于光线无需穿过布线层，避免了前照式图像传感器结构中光线会受到微透镜和光电二极管之间的电路和晶体管的影响，从而显著的提高了光的效能，大大改善了图像传感器在低光照条件下的感光效果，且显示比前照式更高的灵敏度。

2、在背照式图像传感器的先进制程中，由于需要使用高能量的例子注入工艺来形成光电二极管（photo diode，pd），对衬底造成损伤，并造成光源入射时出现干扰效应（crosstalk）的不理想效应。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于，提供一种背照式图像传感器及其制备方法，可以减本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括依次设置在衬底一侧的第一半导体材料层、第二半导体材料层和第三半导体材料层，所述第三半导体材料层、第二半导体材料层和第一半导体材料层中设置有第一深沟槽结构，所述第三半导体材料层和第二半导体材料层中设置有第二深沟槽结构，每个所述第一深沟槽结构和一所述第二深沟槽结构相邻设置，且相邻所述第一深沟槽结构和第二深沟槽结构之间的第一半导体材料层、第二半导体材料层和第三半导体材料层构成像素单元，所述像素单元上形成有叠层格栅结构，

2.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一半导体材料层中掺杂有锑元素，所述第二半导体材料层中掺杂有砷元素...

【技术特征摘要】

1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括依次设置在衬底一侧的第一半导体材料层、第二半导体材料层和第三半导体材料层，所述第三半导体材料层、第二半导体材料层和第一半导体材料层中设置有第一深沟槽结构，所述第三半导体材料层和第二半导体材料层中设置有第二深沟槽结构，每个所述第一深沟槽结构和一所述第二深沟槽结构相邻设置，且相邻所述第一深沟槽结构和第二深沟槽结构之间的第一半导体材料层、第二半导体材料层和第三半导体材料层构成像素单元，所述像素单元上形成有叠层格栅结构，

2.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一半导体材料层中掺杂有锑元素，所述第二半导体材料层中掺杂有砷元素，所述第三半导体材料层掺杂有磷元素。

3.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一深沟槽结构和第二深沟槽结构中填充物为二氧化硅，且在所述第一深沟槽结构和第二深沟槽结构的边缘处均掺杂有第一金属和第二金属，且所述第一金属位于所述第二金属的外侧，其中，所述第一金属的元素重量较所述第二金属的元素重量大。

4.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述叠层格栅结构由下至上依次包括阻挡层、第一金属层和第二金属层，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：