【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电器件领域,尤其涉及一种钙钛矿量子点薄膜的制备方法及钙钛矿量子点薄膜。
技术介绍
1、光电器件如光电探测器、太阳能电池、led显示器件,无论是大面积器件还是阵列器件,都要求光敏层致密且平整。而钙钛矿量子点是一类新型光电材料,有着宽吸收峰、窄发射峰、强光吸收能力、长载流子迁移长度以及良好缺陷容忍性、禁带可调和较高的光致发光量子产率(plqy)等优点,钙钛矿量子点材料优异的光电性能使其在上述光电器件领域有广泛的应用。
2、喷墨打印技术是一种高精度的直接图案化工艺,其具有液滴生产率高、单位体积小、无需掩膜板、重复性高、精度高、印刷速度快的优点,是一种适合沉积制备量子点薄膜的工艺。但是,喷墨后的液滴在蒸发过程中,由于边缘蒸发速率较高,因此为了补充边缘损失的液体,液滴内部会自发地形成向边缘流动的液流,即毛细流。在液滴蒸发过程中,溶质会在边缘沉积,对液滴的收缩起到了钉扎作用,因此大多数溶质会集中堆积在液滴边缘,这就是“咖啡环效应”。“咖啡环效应”会导致喷墨工艺制备的薄膜不均匀,从而难以应用在光电器件的光敏层。
【技术保护点】
1.一种钙钛矿量子点薄膜的制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点薄膜的制备方法,其特征在于,所述正壬烷和甲苯的混合溶剂中正壬烷和甲苯的质量比为3:7至6:4。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿量子点薄膜的制备方法,其特征在于,所述正壬烷和甲苯的混合溶剂中正壬烷和甲苯的质量比为4:6。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点薄膜的制备方法,其特征在于,所述疏水表面包括经氟硅烷疏水处理的表面。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点薄膜的制备方法,其特征在于,所述蒸发沉积处理的温度为20-80℃。
>6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿量子点薄膜的制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点薄膜的制备方法,其特征在于,所述正壬烷和甲苯的混合溶剂中正壬烷和甲苯的质量比为3:7至6:4。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿量子点薄膜的制备方法,其特征在于,所述正壬烷和甲苯的混合溶剂中正壬烷和甲苯的质量比为4:6。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点薄膜的制备方法,其特征在于,所述疏水表面包括经氟硅烷疏水处理的表面。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点薄膜的制备方法,其特征在于,所述蒸发沉积处理的温度为20-80℃。
6.根据权利要求5所述的钙钛矿量子点...
【专利技术属性】
技术研发人员:温维佳,邢逸飞,刘培荣,薛厂,巫金波,张萌颖,
申请(专利权)人:上海大学,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。