【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路领域,更具体地涉及一种反激式开关电源及其控制电路。
技术介绍
1、随着基于硅材料的功率器件已经逐渐接近其理论极限,基于宽禁带半导体材料(例如,氮化镓(gan))的功率器件由于无体二极管效应且具有更低的导通电阻和寄生电容,可以大幅提高开关电源的工作频率和效率,有助于减小充电器的体积和重量。目前,gan功率管在充电器市场的应用需求正在逐渐增加。然而,相对于基于硅材料的功率器件,gan功率管的最大栅极电压较低。在实际应用中,为了充分发挥gan功率管的低阻抗和高电流能力的特点,通常会将gan功率管的栅极驱动电压设置为略低于其栅极击穿电压。
技术实现思路
1、根据本专利技术实施例的用于反激式开关电源的控制电路,该反激式开关电源包括变压器、gan功率管、和电流感测电阻,该控制电路包括:钳位电路,被配置为在gan功率管处于导通状态时,通过控制用于驱动gan功率管的导通与关断的栅极驱动信号随着原边电流表征信号的线性升高而线性升高,对gan功率管的栅极和源极之间的电压差值进行钳位,其中,原
...【技术保护点】
1.一种用于反激式开关电源的控制电路,其中,所述反激式开关电源包括变压器、GaN功率管、和电流感测电阻,所述控制电路包括:
2.根据权利要求1所述的控制电路,其中,所述钳位电路还被配置为在所述GaN功率管处于导通状态时,通过将所述原边电流表征信号与预定电压信号进行叠加生成所述栅极驱动信号,控制所述栅极驱动信号随着所述原边电流表征信号的线性升高而线性升高。
3.根据权利要求2所述的控制电路,其中,所述控制电路还包括第一开关管、第二开关管、以及第三开关管,所述钳位电路还被配置为在所述第一开关管和所述第三开关管处于关断状态且所述第二开关管处于导通状态
...【技术特征摘要】
1.一种用于反激式开关电源的控制电路,其中,所述反激式开关电源包括变压器、gan功率管、和电流感测电阻,所述控制电路包括:
2.根据权利要求1所述的控制电路,其中,所述钳位电路还被配置为在所述gan功率管处于导通状态时,通过将所述原边电流表征信号与预定电压信号进行叠加生成所述栅极驱动信号,控制所述栅极驱动信号随着所述原边电流表征信号的线性升高而线性升高。
3.根据权利要求2所述的控制电路,其中,所述控制电路还包括第一开关管、第二开关管、以及第三开关管,所述钳位电路还被配置为在所述第一开关管和所述第三开关管处于关断状态且所述第二开关管处于导通状态时对所述gan功率管的栅极和源极之间的电压差值进行钳位,并且在所述第一开关管和所述第三开关管处于导...
【专利技术属性】
技术研发人员:易璐茗,黄剑锋,
申请(专利权)人:昂宝电子上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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