一种NMOS管栅源快速放电电路制造技术

本发明专利技术公开了一种NMOS管栅源快速放电电路，包括依次连接的MCU、快速放电电路、NMOS管Q2以及电机，NMOS管Q2的漏极与电机连接，NMOS管Q2的源极接地，NMOS管Q2的栅极与快速放电电路连接，快速放电电路包括二极管D1、三极管Q1以及电阻R2，二极管D1的两端并联三极管Q1，三极管Q1的基极接二极管D1的正极，三极管Q1的集电极串联电阻R2且与二极管D1的负极连接，三极管Q1的发射极接地，本发明专利技术采用旁路泄流法将栅源结电容的电荷快速释放掉，实现场效应管快速放电的效果，能够支持更高的PWM驱动频率及占空比控制精度问题，而且能够避免MCU损坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种nmos管栅源快速放电电路。

技术介绍

1、场效应管属于压控器件，栅源极输入阻抗大，每个电极间均存在结电容，功率越大的场效应管其结电容越大，导致场效应管关闭时间较长，pwm占空比控制精度受到限制，当频率高到一定程度时，无法实现调速功能。

2、一般解决此问题的方法是在栅极的输入限流电阻上反向并联一只二极管，能起到快速放电的效果，但是传统的mcu放电是通过mcu内部端口低边管放电，端口低边管的灌电流能力是有限的，一般在10ma左右，因此会损坏mcu。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了克服现有技术存在的缺点和不足，而提供一种nmos管栅源快速放电电路。

2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：一种nmos管栅源快速放电电路，包括依次连接的mcu、快速放电电路、nmos管q2以及电机，nmos管q2的漏极与电机连接，所述nmos管q2的源极接地，所述nmos管q2的栅极与快速放电电路连接，所述快速放电电路包括二极管d1、三极管q1以及电阻r2，所述二极管d1本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种NMOS管栅源快速放电电路，包括依次连接的MCU、快速放电电路、NMOS管Q2以及电机，其特征在于：所述NMOS管Q2的漏极与电机连接，所述NMOS管Q2的源极接地，所述NMOS管Q2的栅极与快速放电电路连接，所述快速放电电路包括二极管D1、三极管Q1以及电阻R2，所述二极管D1的两端并联三极管Q1，三极管Q1的基极接二极管D1的正极，三极管Q1的集电极串联电阻R2且与二极管D1的负极连接，三极管Q1的发射极接地。

2.根据权利要求1所述的NMOS管栅源快速放电电路，其特征在于：所述NMOS管Q2的栅极通过电阻R3、电容C1与电阻R2连接，所述电阻R3和电容C1并联且...

【技术特征摘要】

1.一种nmos管栅源快速放电电路，包括依次连接的mcu、快速放电电路、nmos管q2以及电机，其特征在于：所述nmos管q2的漏极与电机连接，所述nmos管q2的源极接地，所述nmos管q2的栅极与快速放电电路连接，所述快速放电电路包括二极管d1、三极管q1以及电阻r2，所述二极管d1的两端并联三极管q1，三极管q1的基极接二极管d1的正极，三极管q1的集电极串联电阻r2且与二极管d1的负极连接，三极管q1的发射极接地。

2.根据权利要求1所述的nmos管栅源快速放电电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈辉明，伍伟，王高生，朱烊烊，
申请(专利权)人：浙江长江汽车电子有限公司，
类型：发明
国别省市：