一种背入射增强型氧化镓日盲紫外光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提出了一种背入射增强型氧化镓日盲紫外光电探测器及其制备方法，包括依次堆叠的电极、光吸收层以及衬底，其中，所述衬底用于透过日盲紫外光，采用双抛透明蓝宝石；所述光吸收层用于吸收日盲紫外光，采用氧化镓薄膜；所述电极与所述光吸收层欧姆接触。本发明专利技术的日盲紫外光电探测器的制备工艺简单，器件性能优异，可探测日盲紫外光信号，适用于探测性能好，灵敏度高的日盲紫外光探测系统。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种日盲紫外光电探测器及其制备方法，尤其涉及一种基于日盲紫外波段透明衬底的背入射增强型氧化镓日盲紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体光电子器件领域。

技术介绍

1、日盲深紫外光电探测器具有良好的热稳定性和可靠性，在臭氧空洞监测、火焰探测、空间通信、导弹制导、生化检测、紫外线泄漏检测等领域得到了广泛的应用。紫外光谱区为λ＝10nm～400nm的光谱区间，具体分为uv-a:315nm～400nm，uv-b:280nm～315nm，uv-c:100nm～280nm和真空紫外vuv:10nm～200nm。众所周知，来自太阳的所有uv-c辐射都被大气中的双原子氧(100nm～200nm)或臭氧(三原子氧)(200nm～280nm)吸收。因此，波长在200nm～280nm的紫外区域是“日盲”的，这意味着位于这个光谱区域内的信号可以被有效地检测，而不受太阳辐射的影响。截止波长低于280nm的探测器可以被定义为日盲紫外光电探测器，即使暴露在正常的室外光照下也不会受到干扰。

2、氧化镓(ga2o3)是一种新兴的超宽禁带半导体材料，是电力电子、日盲本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背入射增强型氧化镓日盲紫外光电探测器，其特征在于，包括依次堆叠的电极、光吸收层和衬底，其中，

2.根据权利要求1所述的背入射增强型氧化镓日盲紫外光电探测器，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的背入射增强型氧化镓日盲紫外光电探测器，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的背入射增强型氧化镓日盲紫外光电探测器，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的背入射增强型氧化镓日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述双面抛光单晶蓝宝石的总厚度偏差、弯曲度和翘曲度均小于10μm。

6.一种背入射增强型氧化镓日盲紫外光电探测器的制备方法，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种背入射增强型氧化镓日盲紫外光电探测器，其特征在于，包括依次堆叠的电极、光吸收层和衬底，其中，

2.根据权利要求1所述的背入射增强型氧化镓日盲紫外光电探测器，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的背入射增强型氧化镓日盲紫外光电探测器，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的背入射增强型氧化镓日盲紫外光电探测器，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的背入射增强型氧化镓日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述双面抛光单晶蓝宝石的总厚度偏差、弯曲度和翘曲度均小于10μm。

6.一种背入射增强...

【专利技术属性】
技术研发人员：晏祖勇，达虎，
申请(专利权)人：兰州理工大学，
类型：发明
国别省市：