【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料及电子学，尤其涉及一种分子半导体材料构象检测方法及自旋寿命探测器件。
技术介绍
1、分子半导体材料具有成本低、功能多样、重量轻、化学柔韧性及结构可定制性等特点，已经被广泛应用于有机光伏、有机场效应晶体管、有机发光二极管、分子自旋电子学等新兴分子电子学领域。在这些器件中，分子半导体往往以薄膜的形式发挥功能，因此薄膜中分子半导体的堆积对分子电子器件的性能起着重要的作用，而固态分子半导体的堆积与分子的构象有关，分子半导体的构象源于分子结构中具有相对较小能量势垒的单键的旋转，这些单键的旋转使得构象非常容易相互转换，使得在动态平衡中检测薄膜中构象存在困难，影响对器件性能的分析。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种分子半导体材料构象检测方法及自旋寿命探测器件，用以解决分子半导体材料薄膜中构象无法检测的缺陷。
2、本专利技术提供一种分子半导体材料构象检测方法，包括：
3、调控分子半导体薄膜的不同构象并基于此制备自旋寿命探测器件；
4、利用所述...
【技术保护点】
1.一种分子半导体材料构象检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种分子半导体材料构象检测方法，其特征在于，所述调控分子半导体薄膜的不同构象并基于此制备自旋寿命探测器件，包括：
3.根据权利要求1或2所述的一种分子半导体材料构象检测方法，其特征在于，所述自旋寿命探测器件为分子自旋阀器件，所述利用所述自旋寿命探测器件探测分子半导体层的自旋寿命，包括：
4.根据权利要求3所述的一种分子半导体材料构象检测方法，其特征在于，所述分子自旋阀器件包括基底、底部铁磁电极、界面层、非磁性中间层和顶部铁磁电极，其中：
5....
【技术特征摘要】
1.一种分子半导体材料构象检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种分子半导体材料构象检测方法，其特征在于，所述调控分子半导体薄膜的不同构象并基于此制备自旋寿命探测器件，包括：
3.根据权利要求1或2所述的一种分子半导体材料构象检测方法，其特征在于，所述自旋寿命探测器件为分子自旋阀器件，所述利用所述自旋寿命探测器件探测分子半导体层的自旋寿命，包括：
4.根据权利要求3所述的一种分子半导体材料构象检测方法，其特征在于，所述分子自旋阀器件包括基底、底部铁磁电极、界面层、非磁性中间层和顶部铁磁电极，其中：
5.根据权利要求4所述的一种分子半导体材料构象检测方法，其特征在于，所述底部铁磁电极通过电子束蒸镀沉积得到，所述底部铁磁电极为钴、镍、坡莫合金中的一种；
...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙向南，杨婷婷，秦阳，谷现荣，吴梦，郭立丹，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：
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