本发明专利技术涉及场发射用荧光粉及其制备方法。该场发射用荧光粉的化学式为：Ａ１－ｘＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕｘ，其中，０＜ｘ≤０．２；Ａ为Ｂａ和Ｓｒ的至少一种，Ｂａ和Ｓｒ为任意摩尔比。选择碳酸盐、氮化物及氧化物为原料，并加入０～５％摩尔助熔剂进行混合，在还原气氛或氮气下于１２００℃烧结２小时，再在还原气氛或氮气下于１５００～１５５０℃烧结２－６小时，冷却得到场发射用荧光粉。本发明专利技术制备的场发射用荧光粉发射在４９０和５３２纳米之间可变化。荧光寿命为０．５０和０．７７微秒。发光量子效率达到９１％。与商用ＺｎＯ∶Ｚｎ相比，具有更高的色纯度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
场发射显示器(FED)是一种新发展起来的平板显示器，其工作原理和传统的阴极射线管类似，是通过电子束轰击显示屏上的荧光粉而成像的。与其它的平板显示器(FPD)相比，FED在亮度、视角、响应时间、工作温度范围、能耗等方面均具有潜在的优势。制备优良性能FED的关键因素之一是荧光粉的制备。目前采用的荧光材料主要是一些用于普通阴极射线管和投影电视显像管的荧光粉蓝粉ZnS:Ag， Cl， SrGa2S4: Ce ， Y2Si05:Ce ;绿粉SrGa2S4:Eu，ZnGa204:Mn;红粉Y202S:Eu. San Diego，USA-University of California, 1997. ] ，￥203:￡11. Sandia，USA :SandiaNational Laboratories, 1997]。硫化物系列有较高的发光亮度，而其稳定性较差，在低压大电流电子束轰击下容易分解产生硫，一方面使材料本身的性能衰退，另一方面硫对阴极电子发射针有严重的"毒化"作用。氧化物系列具有较高的稳定性，但其发光亮度不如硫化物系列。除红、绿、蓝粉外，青色荧光粉也逐渐成为研发热点。目前氮化物及氮氧化物荧光粉引起大家的关注。此系列荧光粉具有良好的化学和热稳定性，可被紫外或蓝光有效激发。可望在白光LED中获得应用，而它们作为场发射显示用荧光粉尚未见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的之一是提供一种场发射用荧光粉。其化学式为 A!—xSi202N2:Eux 其中，O < x《0. 2 ;A为Ba和Sr的至少一种，Ba和Sr为任意摩尔比。 本专利技术的目的之二是提供所述的场发射用荧光粉的制备方法，其步骤和条件如下 原料为含A的碳酸盐、含硅的氮化物及氧化物和含铕的氧化物，其中，A为Ba和Sr的至少一种； 助熔剂为氯化铵、氟化铵和硼酸至少一种； 按化学式A—xSi202N2:Eux的化学计量比称取原料，再加入助熔剂进行充分研磨混合，放入刚玉坩锅内，放入高温炉内，然后在还原气氛或氮气下于120(TC烧结2小时，再在还原气氛或氮气下于1500 155(TC烧结2-6小时，冷却至室温，置于研钵中研磨均匀，得到场发射用荧光粉；所述的还原气氛为体积比为1 5% : 99 95%的112和^混合气体；所述的助熔剂的摩尔数与化学式A卜xSi^N^EUx的总摩尔数的比为0 5X : 1。 有益效果本专利技术制备的场发射用荧光粉发射在490和532纳米之间可变化。荧光寿命为O. 50和0. 77微秒(见图2)。发光量子效率达到91%。与商用ZnO : Zn相比，具有更高的色纯度(见图3)。附图说明 图l是场发射用荧光粉的低压(激发电压3.0kV)阴极射线光谱图。其中，曲线(a)是实施例5的场发射用荧光粉的(激发电压3. OkV)阴极射线光谱图；曲线(b)是实施例17的场发射用荧光粉的(激发电压3. OkV)阴极射线光谱图。 图2曲线(A)是实施例5荧光寿命曲线，荧光寿命为0. 77微秒；曲线(B)是实施例17的荧光寿命曲线，荧光寿命为0. 50微秒。 图3是1点是实施例5的场发射用荧光粉的色坐标，其中，x = 0. 14 ;y = 0. 35 ;2点是实施例17的场发射用荧光粉的色坐标，其中，x = 0. 28 ;y = 0. 57。 3点是商用荧光粉ZnO:Zn的色坐标，其中，x = 0. 25 ;y = 0. 45。具体实施方式 实施例1 室温下，称取BaC03 0. 5861克，Si^4 0. 2806克』11203 0. 0053克，进行充分研磨混合，放入刚玉坩锅内，放入高温炉内，在N2气氛下于120(TC烧结2小时，再于1500°C N2气氛下煅烧2小时，将所得产物冷却至室温，置于研钵中研磨均匀，得到场发射用荧光粉，其组成为Ba0.99Si202N2: Eu2+0.01 。 实施例2 室温下，称取BaC03 0. 5802克，Si^4 0. 2806克』11203 0. 0106克，进行充分研磨混合，放入刚玉坩锅内，放入高温炉内，在N2气氛下于120(TC烧结2小时，再于1500°C N2气氛下煅烧2小时，将所得产物冷却至室温，置于研钵中研磨均匀，得到场发射用荧光粉，其组成为Ba0.98Si202N2: Eu2+0.02。 实施例3 室温下，称取BaC03 0. 5742克，Si^4 0. 2806克』11203 0. 0158克，进行充分研磨混合，放入刚玉坩锅内，放入高温炉内，在N2气氛下于120(TC烧结2小时，再于1500°C N2气氛下煅烧2小时，将所得产物冷却至室温，置于研钵中研磨均匀，得到场发射用荧光粉，其组成为Ba0.97Si202N2:Eu2+,。 实施例4 室温下，称取BaC03 0. 5683克，Si^4 0. 2806克』11203 0. 0211克，进行充分研磨混合，放入刚玉坩锅内，放入高温炉内，在N2气氛下于120(TC烧结2小时，再于1500°C N2气氛下煅烧2小时，将所得产物冷却至室温，置于研钵中研磨均匀，得到场发射用荧光粉，其组成为Ba0.96Si202N2:Eu2+0.04。 实施例5 室温下，称取BaC03 0. 5624克，Si^4 0. 2806克』11203 0. 0264克，进行充分研磨混合，放入刚玉坩锅内，放入高温炉内，在N2气氛下于120(TC烧结2小时，再于1500°C N2气氛下煅烧2小时，将所得产物冷却至室温，置于研钵中研磨均匀，得到场发射用荧光粉，其组成为Ba0.95Si202N2:Eu2+0.05。 实施例6 室温下，称取BaC03 0. 5565克，Si^4 0. 2806克』11203 0. 0317克，进行充分研磨混 合，放入刚玉坩锅内，放入高温炉内，在N2气氛下于120(TC烧结2小时，再于1500°C N2气氛 下煅烧2小时，将所得产物冷却至室温，置于研钵中研磨均匀，得到场发射用荧光粉，其组 成为Ba0.94Si202N2:Eu2+0.06。 实施例7 室温下，称取BaC03 0. 5506克，Si^4 0. 2806克』11203 0. 0370克，进行充分研磨混 合，放入刚玉坩锅内，放入高温炉内，在N2气氛下于120(TC烧结2小时，再于1500°C N2气氛 下煅烧2小时，将所得产物冷却至室温，置于研钵中研磨均匀，得到场发射用荧光粉，其组 成为Ba0.93Si202N2:Eu2+,。 实施例8 室温下，称取BaC03 0. 5446克，Si^4 0. 2806克』11203 0. 0422克，进行充分研磨混 合，放入刚玉坩锅内，放入高温炉内，在N2气氛下于120(TC烧结2小时，再于1500°C N2气氛 下煅烧2小时，将所得产物冷却至室温，置于研钵中研磨均匀，得到场发射用荧光粉，其组 成为Ba0.92Si202N2:Eu2+0.08。 实施例9 室温下，称取BaC03 0. 5387克，Si^4 0. 2806克』11203 0. 0475克，进行充分研磨混 合，放入刚玉坩锅内，放入高温炉内，在N2气氛下于120(TC烧结2小时，再于1500°C N2气氛 下煅烧2小时，将所得产物冷却至室温，置于研钵中研磨均匀，得到本文档来自技高网...
【技术保护点】
场发射用荧光粉，其特征在于，其化学式为： Ａ↓［１－ｘ］Ｓｉ↓［２］Ｏ↓［２］Ｎ↓［２］：Ｅｕ↓［ｘ］ 其中，０＜ｘ≤０．２；Ａ为Ｂａ和Ｓｒ的至少一种，Ｂａ和Ｓｒ为任意摩尔比。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：尤洪鹏，宋艳华，洪广言，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]
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