具有突波保护功能的降压转换器制造技术

技术编号:4218587 阅读:184 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种具有突波保护功能的降压转换器,其包含一电晶体、一稽纳二极体、一控制电路、一整流二极体、一电感、一输出电容以及一电阻,该电晶体耦接一输入电压,该稽纳二极体耦接该电晶体,用来限制该电晶体之闸源极电压,该电感用来储存流经该电晶体之电荷,该输出电容用来平滑该电感上之电压,该平滑之电压施加至该电阻,该整流二极体整流该电感两端产生电动势之电流,该控制电路保持在与输入电压变化无关的固定输出电压;该降压转换器可以承受输入电源发生突波电压,电路亦能正常工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系相关于一种突波保护装置,尤指一种具有突波保护功能 的降压转换器。
技术介绍
目前交换式电源转换器可提供稳定的输出电压,而且能够承受负载突降(load dump)等过电压瞬态变化。请参考第1图,第1图为目前交换式电源转换器之示意图。使用 两级电路串联,以承受输入电源的突波电压。第一级使用线性稳压器, 吸收输入电源的突波电压,第二级使用高的转换效率之降压式直流-直流电源转换器。目前的交换式电源转换器包含一N通道MOSFET 12、 一齐纳二 极体14、 一负载l6、 一电阻28以及一直流-直流电源转换器30。直 流电源供应器Vin之正端连接于N通道MOSFET 12之汲极,负端接 地。齐纳二极体14可以避免MOSFET 12的闸源极电压超过最大VGS 。 当输入电压Vin低于齐纳二极体14的崩溃电压时,MOSFET 12以饱 和模式运作。在输入电压Vin瞬态变化的过程中,MOSFET 12会遮蔽 高于齐纳崩溃电压的电压值。在负载16突降的情况下,MOSFET 12 会在输入电压Vin上升超过设定限制时完全断开,接着维持断开状态, 直到输入电压Vin低于定电压。直流-直流电源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降压转换器,其包含一电晶体、一钳压电路、一控制电路、一整流二极体、一电感、一输出电容以及一负载,该电晶体耦接一输入电压,该稽纳二极体耦接该电晶体,用来限制该电晶体之闸源极电压,该电感用来储存流经该电晶体之电荷,该输出电容用来平滑该电感上之电压,该平滑之电压施加至该负载,该整流二极体整流该电感两端产生电动势之电流,该控制电路保持在与输入电压变化无关的固定输出电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王仕元
申请(专利权)人:广鹏科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[]

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