【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硼中子俘获治疗，具体涉及一种硼中子俘获治疗系统。
技术介绍
1、靶电流监测是常见的靶状态及加速器状态测量需求。由于加速器的加速的束流为带电粒子，沉积在靶上后会以电流的形式传导。
2、为了将靶的电流引出，需要靶与加速器、束流整形体等多个部件绝缘，再通过电线将绝缘的靶与电流表连接读取。
3、针对硼中子俘获治疗，固定靶的位置相对于其他中子源应用场景存在差异，靶周围会被束流整形系统包裹，且靶的放射性较高，若电线直接将靶与电流表相接，更换靶时，电线会拉扯电表影响设备，同时，需要在辐射环境下人工解除靶与电流表的连接，存在辐射问题，另外，电线过长，不方便将靶收容于废靶箱，废靶箱开合处夹到电线会造成放射泄露。
4、因此，急需要设计一款，用于硼中子俘获治疗、自动换靶以及更换慢化体调整束流等综合环境下的靶暗电流监测装置，其能够在全自动的情况下对靶电流进行读取的同时，并不影响靶的自动更换、收容，也不会对更换慢化体调整靶在束流整形体bsa处位置存在限制。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种硼中子俘获治疗系统，包括带有质子通道（4）的束流整形体（1）和设置在质子通道（4）内部的更换式靶组件（2），其特征在于：在束流整形体（1）的外部设置有电流监测设备（3），所述的靶组件上设置有动触点（21），所述的电流监测设备上设置有与动触点（21）形成移动触接导电模式的静触点（31）。
2.根据权利要求1所述的硼中子俘获治疗系统，其特征在于：所述的动触点（21）与静触点（31）设置在一实现移动触接导电模式的接触式通路装置（5）上。
3.根据权利要求2所述的硼中子俘获治疗系统，其特征在于：所述的接触式通路装置（5）包括滑动设置在靶组件（2...
【技术特征摘要】
1.一种硼中子俘获治疗系统，包括带有质子通道（4）的束流整形体（1）和设置在质子通道（4）内部的更换式靶组件（2），其特征在于：在束流整形体（1）的外部设置有电流监测设备（3），所述的靶组件上设置有动触点（21），所述的电流监测设备上设置有与动触点（21）形成移动触接导电模式的静触点（31）。
2.根据权利要求1所述的硼中子俘获治疗系统，其特征在于：所述的动触点（21）与静触点（31）设置在一实现移动触接导电模式的接触式通路装置（5）上。
3.根据权利要求2所述的硼中子俘获治疗系统，其特征在于：所述的接触式通路装置（5）包括滑动设置在靶组件（2）上的可调定位通断组件（10）和设置在束流整形体（1）外部的触接导电组件（11）。
4.根据权利要求3所述的硼中子俘获治疗系统，其特征在于：所述的动触点（21）设置在可调定位通断组件（10）上，所述的静触点（31）设置在触接导电组件（11），可调定位通断组件（10）与触接导电组件（11）接触导电时，在靶组件（2）、可调定位通断组件（10）、触接导电组件（11）与电流监测设备（3）之间形成电流监测通路。
5.根据权利要求3所述的硼中子俘获治疗系统，其特征在于：所述的可调定位通断组件（10）包括一绝缘滑动定位件（101），在所述的滑动定位件（101）上固接有触接动件（102），所述的触接动件（102）通过一导电通路（103）与靶组件（2）电连接。
6.根据权利要求5所述的硼中子俘获治疗系统，其特征在于：所述的动触点（21）设置在触...
【专利技术属性】
技术研发人员：王盛，胡耀程，范晶晶，谢宇鹏，杨东旭，
申请(专利权)人：华硼中子科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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