一种具有多RFID芯片的复合标签制造技术

本技术公开了一种具有多RFID芯片的复合标签，包括设置在载体绝缘膜上的导电图型，导电图型包括位于中间的矩形导电图型单元、位于矩形导电图型单元两侧且与其电连接的左导电图型单元和右导电图型单元；其中，矩形导电图型单元设有分别呈上下间隔分布的第一馈电端口、第二馈电端口和第三馈电端口；其中，第一馈电端口的两端分别与第一RFID芯片的两个电极连接；第二馈电端口的两端分别与第二RFID芯片的两个电极连接；第三馈电端口的两端分别与第三RFID芯片的两个电极连接；导电图型的长度范围为45‑55mm，其宽度范围为25‑35mm；本技术在890‑960MHz的超高频工作频率同时有效提高了读取灵敏度且获得了更大的读取距离表现。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于智能标签领域，具体涉及一种具有多rfid芯片的复合标签。

技术介绍

1、智能标签的主要工作原理是采用射频识别技术(radio frequencyidentification，rfid)，是自动识别技术的一种，通过无线射频方式进行非接触双向数据通信，利用无线射频方式对电子标签进行读写，从而达到识别目标和数据交换的目的。射频识别技术已被广泛地应用在智能标签产品领域中。在当前技术中，智能标签最常用的通信频率包括超高频(一般在860-960mhz)以及高频(一般在13.56mhz)，高频智能标签主要用于通信距离短的应用场景(比如门禁等卡类产品等)，而超高频智能标签主要用于通信距离长的应用场景(比如物流运输、仓储、服饰等)。

2、进一步来说，在一些特定的应用场合中，通常希望超高频智能标签在全频段均同时具有良好的读取灵敏度和更大的读取距离，通常这两者存在矛盾，为此，本申请人决定寻求技术方案来解决以上技术问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术的目的在于提供一种具有多rfid芯片的复合标签，在890本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有多RFID芯片的复合标签，包括设置在载体绝缘膜上的导电图型，其特征在于，所述导电图型包括位于中间的矩形导电图型单元、位于所述矩形导电图型单元两侧且与其电连接的左导电图型单元和右导电图型单元；其中，所述矩形导电图型单元设有分别呈上下间隔分布的第一馈电端口、第二馈电端口和第三馈电端口；其中，

2.根据权利要求1所述具有多RFID芯片的复合标签，其特征在于，所述第一RFID芯片、第二RFID芯片和第三RFID芯片均不相同。

3.根据权利要求2所述具有多RFID芯片的复合标签，其特征在于，所述第一RFID芯片采用U8系列芯片或U9系列芯片，所述第二RFID芯片...

【技术特征摘要】

1.一种具有多rfid芯片的复合标签，包括设置在载体绝缘膜上的导电图型，其特征在于，所述导电图型包括位于中间的矩形导电图型单元、位于所述矩形导电图型单元两侧且与其电连接的左导电图型单元和右导电图型单元；其中，所述矩形导电图型单元设有分别呈上下间隔分布的第一馈电端口、第二馈电端口和第三馈电端口；其中，

2.根据权利要求1所述具有多rfid芯片的复合标签，其特征在于，所述第一rfid芯片、第二rfid芯片和第三rfid芯片均不相同。

3.根据权利要求2所述具有多rfid芯片的复合标签，其特征在于，所述第一rfid芯片采用u8系列芯片或u9系列芯片，所述第二rfid芯片采用m700系列芯片，所述第三rfid芯片采用mr6系列芯片或mr6p系列芯片。

4.根据权利要求1所述具有多rfid芯片的复合标签，其特征在于，所述矩形导电图型单元的内部设有分别设有呈上下间隔分布的第一水平线状导电图型和第二水平线状导电图型；其中，所述第一馈电端口、第二馈电端口和第三馈电端口依次设置在所述矩形导电图型单元的上端部、第一水平线状导电图型和第二水平线状导电图型上。

5.根据权利要求1所述具有多rfid芯片的复合标签，其特征在于，所述导电图型的长度范围为48-52mm，其宽度范围为28-32mm。

6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛久乐，毛久伟，娄雪峰，
申请(专利权)人：尤尼菲德苏州智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：