【技术实现步骤摘要】
本申请涉及场效应管测试，具体涉及一种场效应管的测试方法。
技术介绍
1、场效应管（field effect transistor）简称fet，是一种利用多数载流子导电的半导体器件，按照结构和原理可以分为接合型场效应管与mos型场效应管，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、易于集成等特点。随着对能源需求的快速增长、便携式医疗设备、智能手机和平板电脑等下游应用领域产品产量的快速增长，以及对环保、节能减排的重视，对低功耗产品的关注度越来越高，场效应管的应用越来越广泛。
2、对场效应管的测试包括加热化学测试、x-ray检测、电参数测试等，由于电参数测试通常可以在较短时间内完成，且相对简单，能够对场效应管进行大批量的快速测试。但由于场效应管的漏极位于晶圆的背面侧，场效应管的源极和栅极位于晶圆的正面侧，因此对场效应管进行测试时，需要使用长导线从晶圆背面侧将场效应管的漏极引出，使得连接场效应管的漏极的导线较长，而根据电磁感应定律，较长的导线中会出现电感，进而影响测试结果的精度，同时电感无法像电压、电流等通过电压表、电流表进行检测，导致对场效应...
【技术保护点】
1.一种场效应管的测试方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种场效应管的测试方法，其特征在于，所述构建各时间点的局部栅源电压序列、局部漏源电压序列、局部栅极电流序列以及局部漏极电流序列，包括：
3.如权利要求1所述的一种场效应管的测试方法，其特征在于，所述根据各时间点局部漏极电流序列中各漏极电流之间的关系得到各时间点的局部漏极电流序列中各漏极电流的电感扰动漏极电流因子，表达式为：
4.如权利要求1所述的一种场效应管的测试方法，其特征在于，所述根据各时间点的局部漏极电流序列和局部漏源电压序列得到各时间点的局部...
【技术特征摘要】
1.一种场效应管的测试方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种场效应管的测试方法，其特征在于，所述构建各时间点的局部栅源电压序列、局部漏源电压序列、局部栅极电流序列以及局部漏极电流序列，包括：
3.如权利要求1所述的一种场效应管的测试方法，其特征在于，所述根据各时间点局部漏极电流序列中各漏极电流之间的关系得到各时间点的局部漏极电流序列中各漏极电流的电感扰动漏极电流因子，表达式为：
4.如权利要求1所述的一种场效应管的测试方法，其特征在于，所述根据各时间点的局部漏极电流序列和局部漏源电压序列得到各时间点的局部漏极电流序列与局部漏源电压序列中每个时间点的压流比，包括：
5.如权利要求4所述的一种场效应管的测试方法，其特征在于，所述根据所述压流比得到各时间点的局部漏源...
【专利技术属性】
技术研发人员：马晓爽，李俊斌，于长存，
申请(专利权)人：北京七星华创微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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