废气处理设备制造技术

本发明专利技术及废气处理相关技术领域，提供一种废气处理设备，包括设备主体、加热装置、点火装置、第一阻挡结构和第二阻挡结构，设备主体设有废气进气口和空气进气口；设备主体至少限定出加热腔、缓冲腔和反应腔，加热装置设于设备主体，点火装置设于设备主体，第一阻挡结构位于加热腔内，第一阻挡结构用于减缓加热腔内的气体流动速度，第一阻挡结构位于反应腔内，第一阻挡结构用于减缓反应腔内的气体流动速度；通过上述设置设备的结构，提高氨气与氢气废气的处理安全性，提高氨气与氢气废气的处理效率，降低或避免氨水的产生，降低设备的运行成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及废气处理相关，尤其涉及一种废气处理设备。

技术介绍

1、mocvd(金属有机化合物化学气相沉积)是一种常用的化学气相沉积技术，广泛应用于半导体器件的制备。mocvd技术的原理是在高温下将有机金属化合物蒸汽与半导体衬底表面的金属原子相互作用，形成半导体材料。mocvd工艺的废气处理技术被广泛应用于led、激光器、太阳能电池等领域

2、在mocvd(金属有机化合物化学气相沉积)工艺过程中会使用大量的氨气nh3作为氮源参与化学反应，同时使用大量的氢气h2作为载气，将反应物载入反应腔进行化学反应。反应后会剩余大量的氨气nh3和氢气h2排放到后端的废气处理设备进行再次处理。剩余大量未反应的氨气和氢气的流量在200升每分钟以上，有些工艺中其剩余量会达到600升每分钟。大量未反应或未处理的氨气和氢气，由于其爆炸极限广(氢气在空气中的爆炸范围在4％～75％)，导致废气在处理过程中存在爆炸风险，需要安全有效的处理氢气废气。

3、在mocvd工艺中使用的气体均为高纯气体，氨气是一种无色、有强烈的刺激气味的气体，能灼伤皮肤、眼睛、呼吸器官的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种废气处理设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的废气处理设备，其特征在于，所述第一阻挡结构(700)包括多个第一挡板(710)，多个所述第一挡板(710)沿所述加热腔(200)的至少部分内壁间隔布置；

3.根据权利要求1所述的废气处理设备，其特征在于，所述设备主体(100)上设有第三挡板(130)，所述第三挡板(130)位于所述缓冲进气口处，所述第三挡板(130)朝向所述缓冲腔(300)所在位置倾斜设置。

4.根据权利要求1所述的废气处理设备，其特征在于，所述设备主体(100)上设有位于所述加热进气口的扩散结构(140)，所述扩散结构...

【技术特征摘要】

1.一种废气处理设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的废气处理设备，其特征在于，所述第一阻挡结构(700)包括多个第一挡板(710)，多个所述第一挡板(710)沿所述加热腔(200)的至少部分内壁间隔布置；

3.根据权利要求1所述的废气处理设备，其特征在于，所述设备主体(100)上设有第三挡板(130)，所述第三挡板(130)位于所述缓冲进气口处，所述第三挡板(130)朝向所述缓冲腔(300)所在位置倾斜设置。

4.根据权利要求1所述的废气处理设备，其特征在于，所述设备主体(100)上设有位于所述加热进气口的扩散结构(140)，所述扩散结构(140)用于将气体扩散至所述加热腔(200)内。

5.根据权利要求1所述的废气处理设备，其特征在于，所述反应腔(400)与所述加热腔(200)相邻布置，且所述反应腔(400)和所述加热腔(200)之间存在热传递，其中，所述加热腔(200)内设有第一温度传感器(210)。

6.根据权利要求1所述的废气处理设备，其特征在于，所述设备主体(100)设有用于空气流动的空气夹层通道(150)，所述空气夹层通道(150)的一端与所述空气进气口(120)连通，所述空气夹层通道(150)的另一端与所述缓冲出气口和所述反应进气口二者连通；

7.根据权利要求6所述的废气处理设...

【专利技术属性】
技术研发人员：于浩，杨春水，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：