层叠体的制作方法及层叠体技术

一种层叠体的制造方法，其包括如下工序：在第1支撑基板上形成包含第1热固性树脂及第1无机氧化物粒子的第1有机绝缘层；研磨第1有机绝缘层的第1表面而使其平坦化；及将所研磨的第1表面贴合于包含第2热固性树脂及第2无机氧化物粒子的第2有机绝缘层的第2表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种层叠体的制作方法及层叠体，例如，涉及一种具备半导体芯片的层叠体(半导体装置)的制作方法及具备半导体芯片的层叠体。

技术介绍

1、作为在纵向上层叠的半导体芯片彼此的连接或硅中介层等半导体封装件与半导体芯片的连接中使连接端子连接的方法，近年来提出了将金属的连接端子彼此直接黏合的直接接合技术的各种方法(例如，参考专利文献1～3)。在基于直接接合技术的连接方法中，不仅连接端子彼此，而且配置于连接端子的周围的绝缘层彼此也被黏合。作为绝缘层，使用氧化硅等无机绝缘材料。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利申请公开第2020/0135636号说明书

5、专利文献2：美国专利申请公开第2020/0135683号说明书

6、专利文献3：美国专利申请公开第2020/0135684号说明书

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术课题

2、在将无机绝缘材料用作绝缘层的直接接合技术中，由于在切割等工序中产生的切削碎屑(debr本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种层叠体的制作方法，其包括如下工序：

2.根据权利要求1所述的层叠体的制作方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的层叠体的制作方法，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的层叠体的制作方法，其还包括磨削所述第1有机绝缘层的工序，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的层叠体的制作方法，其还包括如下工序：

6.根据权利要求5所述的层叠体的制作方法，其中，

7.根据权利要求5或6所述的层叠体的制作方法，其中，

8.根据权利要求5至7中任一项所述的层叠体的制作方法，其还包括磨削所述第2有机绝缘层的工序...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种层叠体的制作方法，其包括如下工序：

2.根据权利要求1所述的层叠体的制作方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的层叠体的制作方法，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的层叠体的制作方法，其还包括磨削所述第1有机绝缘层的工序，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的层叠体的制作方法，其还包括如下工序：

6.根据权利要求5所述的层叠体的制作方法，其中，

7.根据权利要求5或6所述的层叠体的制作方法，其中，

8.根据权利要求5至7中任一项所述的层叠体的制作方法，其还包括磨削所述第2有机绝缘层的工序，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的层叠体的制作方法，其还包括在所述第1支撑基板上形成第1配线电极的工序，

10.根据权利要求9所述的层叠体的制作方法，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：今津裕贵，满仓一行，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：