一种超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明专利技术的超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料的化学通式为：LiB<subgt;x</subgt;Al<subgt;1‑x</subgt;SiO<subgt;4</subgt;；其中，0.02≤x≤0.1，x代表摩尔量。本发明专利技术的超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料具有低的介电常数和高的品质因数以及可观的谐振频率温度系数，有潜力广泛应用于制造高速信号传输的介质天线、微波基板、介质谐振器等微波器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷材料，特别是涉及一种超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用。

技术介绍

1、微波介质陶瓷(mwdc)是频率范围为300mhz～300ghz，波长处于1m～0.1mm之间的电磁波的材料。由于具有方向性好、穿透性强和信息容量大等特点，微波通信系统成为了现代通信技术发展的热门方向。当前，以5g为代表的先进无线通讯技术的发展对微波介质陶瓷提出更高、更新的要求，如低的介电常数(εr)、高的品质因数(q×f)和接近于零的谐振频率温度系数(τf)。

2、近年来，随着微波通讯技术的迅猛发展，大量的微波元器件得以小型化，使其得到较大的发展，对其研究则集中于低介电损耗的材料，从设计微波元器件的角度来看，较高品质因数可以保证微波介质材料具备良好的选频特性，接近于零的谐振频率温度系数保证温度的稳定性。同时使用低成本、污染小的材料是微波介质陶瓷的发展趋势。而高频化也是微波器件发展的方向，那么通讯设备的工作频率势必向毫米波拓展，这会突出信号延迟和信号强度的问题。因此，相较于中高介电常数的微波介质陶瓷，低介电常数的微波介质陶瓷的优势显现出来，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料，其特征在于，化学通式为：LiBxAl1-xSiO4；

2.一种权利要求1所述的超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述预烧的升温速率为5℃/min，温度为800～1000℃，时间为4～8h。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述压制成型的压力为1MPa。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述真空处理具体包括：将压制成型后获得的生坯放入橡胶套中，将橡胶套中的空气排出、封口。

6...

【技术特征摘要】

1.一种超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料，其特征在于，化学通式为：libxal1-xsio4；

2.一种权利要求1所述的超低介低温硅酸铝锂微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述预烧的升温速率为5℃/min，温度为800～1000℃，时间为4～8h。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述压制成型的压力为1mpa。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述真空处理具体包括：将压制成型后获得的生坯放入橡胶套中，将橡胶套中的空气排出、封口。

【专利技术属性】
技术研发人员：李纯纯，熊思宇，朱国斌，陈德钦，朱肖伟，崔洪波，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载 我是这个专利的主人