电容式接近传感器以及电子设备制造技术

技术编号:42146175 阅读:48 留言:0更新日期:2024-07-27 00:01
本申请实施例提供一种电容式接近传感器以及电子设备,所述电容式接近传感器包括探测电极和参考电极,所述参考电极包括与所述探测电极相对设置的底部,所述探测电极的远离所述底部的上表面的表面积比所述上表面的正投影的面积大。由此,通过增加探测电极的表面积,增强了探测电极的上部空间的电场聚焦效能,从而提升了检测被检体有无的能力,从而提高了检测灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及传感器,尤其涉及一种电容式接近传感器以及电子设备


技术介绍

1、接近传感器是一种具有感知物体接近能力的器件,能够代替开关等接触式检测方式,以无需接触被检测对象为目的,将对象的移动和存在信息并转化成电信号,通常是开关信号,因此,通常又把接近传感器称为“接近开关”。由于能以非接触方式进行检测,不会磨损和损伤检测对象物,因此,被广泛应用于工业生产线中。

2、接近传感器按照工作原理可以分为电容式接近传感器、电感式接近传感器、光电式接近传感器等。其中,电容式接近传感器可以包括探测电极、参考电极和检测电路,当物体距离电容式接近传感器较近时,检测电路将产生电容增大的信号,当物体距离电容式接近传感器较远时,检测电路将产生电容减小的信号。由此,可以利用电容式接近传感器的这一特性实现对生产线上的工件进行计数的功能。

3、应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

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【技术保护点】

1.一种电容式接近传感器,其特征在于,所述电容式接近传感器包括探测电极和参考电极,所述参考电极包括与所述探测电极相对设置的底部,所述探测电极的远离所述底部的上表面的表面积比所述上表面的正投影的面积大。

2.根据权利要求1所述的电容式接近传感器,其中,所述探测电极的所述上表面包括向所述参考电极的所述底部一侧凹陷的凹面。

3.根据权利要求2所述的电容式接近传感器,其中,所述凹面包括球面的一部分,或者,所述凹面包括椭球面的一部分。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的电容式接近传感器,其中,所述探测电极的所述上表面还包括向远离所述参考电极的所述底部的方向...

【技术特征摘要】

1.一种电容式接近传感器,其特征在于,所述电容式接近传感器包括探测电极和参考电极,所述参考电极包括与所述探测电极相对设置的底部,所述探测电极的远离所述底部的上表面的表面积比所述上表面的正投影的面积大。

2.根据权利要求1所述的电容式接近传感器,其中,所述探测电极的所述上表面包括向所述参考电极的所述底部一侧凹陷的凹面。

3.根据权利要求2所述的电容式接近传感器,其中,所述凹面包括球面的一部分,或者,所述凹面包括椭球面的一部分。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的电容式接近传感器,其中,所述探测电极的所述上表面还包括向远离所述参考电极的所述底部的方向凸出的至少一个导电柱。

5.根据权利要求4所述的电容式接近传感器,其中,所述至少一个导电柱的形状包括圆柱状或椭圆柱状。

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【专利技术属性】
技术研发人员:叶勇钱海民柯中澍陆涵睿郭世磊洪奇熊博铮李晓桐
申请(专利权)人:欧姆龙上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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