【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于滤波器设计，具体涉及基于表面等离子激元的带通滤波器设计方法及滤波器。
技术介绍
1、考虑到sspp结构的低通特性和半模基片集成波导(half-mode substrateintegrated waveguide:hmsiw)或siw的高通特性，研究学者将sspp结构组合到siw或hmsiw设计滤波器，并将其命名为sspp-hmsiw或sspp-siw。但是该类设计方法会增加加工难度，引入加工误差。也有研究人员通过在sspp结构中引入滤波器，设计了具有宽阻带抑制的滤波器结构。由于在sspp中增加了滤波器，滤波器的整体尺寸占用了很大的空间。例如，其它文献中作者提出了一款基于三层金属和两层衬底的超紧凑和超宽带的带通滤波器。并且通过电容耦合馈电结构的设计，降低了滤波器的低频截止频点。然而，该款滤波器的厚度较大，且通带外抑制特性不良好。也有作者提出采用在半模sspp传输线的对称面加入短路枝节结构，在低频段引入陷波零点的方法实现滤波器的设计。该款结构设计简单，但是，并没有考虑到尺寸优化的问题。
技术实现思路
【技术保护点】
1.基于表面等离子激元的带通滤波器设计方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述基于表面等离子激元的带通滤波器设计方法，其特征在于，设计所述三叉戟型SSPP单元结构的方法包括：
3.根据权利要求1所述基于表面等离子激元的带通滤波器设计方法，其特征在于，设计所述圆形终端的微带线-槽线巴伦结构的方法包括：
4.根据权利要求3所述基于表面等离子激元的带通滤波器设计方法，其特征在于，计算所述槽线阻抗Zs、所述槽线波长λs和所述槽线长度ls的方法包括：
5.根据权利要求4所述基于表面等离子激元的带通滤波器设计方法，其...
【技术特征摘要】
1.基于表面等离子激元的带通滤波器设计方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述基于表面等离子激元的带通滤波器设计方法，其特征在于，设计所述三叉戟型sspp单元结构的方法包括：
3.根据权利要求1所述基于表面等离子激元的带通滤波器设计方法，其特征在于，设计所述圆形终端的微带线-槽线巴伦结构的方法包括：
4.根据权利要求3所述基于表面等离子激元的带通滤波器设计方法，其特征在于，计算所述槽线阻抗zs、所述槽线波长λs和所述槽线长度ls的方法包括：
5.根据权利要求4所述基于...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。