激光刻蚀硅脉象传感器悬臂梁的方法技术

本发明专利技术涉及一种采用激光释放硅悬臂梁的方法，尤其是该方法为激光加工技术与微电子机械加工系统（ＭＥＭＳ）相结合刻蚀硅悬臂梁的方法。本发明专利技术提供一种采用激光精准释放硅悬臂梁的方法，该方法不仅能释放出无削角的硅悬臂梁，而且为其他微结构的制备提供高质量的激光刻蚀方法。本发明专利技术的制造方法所采用的工艺方案是：在硅片上，采用ＭＥＭＳ技术在硅微悬臂梁的根部制作由四个Ｐ沟道增强型场效应管（Ｐ－ＭＯＳＦＥＴｓ）组成的惠斯通电桥，将硅片的背面硅衬底利用感应耦合等离子体（ＩＣＰ）刻蚀技术加工成硅杯结构，并用激光刻蚀出硅悬臂梁。本发明专利技术的有益效果是，克服了传统释放硅悬臂梁方法的削角问题，无需光刻显影，刻蚀速率高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种采用激光释放硅悬臂梁的工艺方法，其特征是：在硅片上，采用ＭＥＭＳ技术在硅微悬臂梁的根部制作由四个Ｐ沟道增强型场效应管（Ｐ－ＭＯＳＦＥＴｓ）组成的惠斯通电桥，将硅片的背面硅衬底利用感应耦合等离子体（ＩＣＰ）刻蚀技术或各向异性腐蚀技术加工成硅杯结构，再利用激光加工技术，刻蚀出硅悬臂梁。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：温殿忠，王璐，
申请(专利权)人：黑龙江大学，温殿忠，王璐，
类型：发明
国别省市：93[中国|哈尔滨]