【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件及集成电路，尤其涉及一种半导体器件模型的建模方法、设备和存储介质。
技术介绍
1、在半导体器件及集成电路的制造过程中存在着不同程度的工艺波动，例如，在光刻和刻蚀工艺中容易造成特征尺寸的波动，在离子注入工艺中容易造成掺杂浓度的波动，随着工艺的随机波动，使得在一个芯片上相同设计的器件的特性(例如，器件的阈值电压、漏电流、电容、电阻等)会表现出一些偏差，这些偏差被称为器件的失配(mismatch)。
2、在电路设计中，半导体器件的精确匹配度对模拟和混合集成电路，如电流镜、差分运放、模拟数字转换器(analog to digital converter，ad)、数字模拟转换器(digital toanalog converter，ad)等电路的性能至关重要，以差分运放和电流镜为例，器件的失配，会导致差分电路的输入电压失调和电流镜的镜像误差。因此，对于电路设计者，需要精确的器件失配模型来约束电路优化设计，对于版图设计者，需要相应的设计规则，来减小器件的失配，鉴于此，相关技术提供了一系列的失配模型以补偿由于器件的失配所导致的误差。
3、然而，相关技术中提供的失配模型没有考虑温度效应对失配的影响，尤其在高温下，器件的表面势、空间电荷分布等会发生一定的变化，这种变化会直接影响失配特性。鉴于此，亟待提供一种包含温度补偿的失配模型以降低温度对失配模型所造成的精确度和准确度的下降。
技术实现思路
1、本申请提供了一种半导体器件模型的建模方法、设备和存储介质，可
2、一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件模型的建模方法，包括：
3、在历史数据中提取模型参数以及所述模型参数对应的温度，所述历史数据是对集成有目标器件的晶圆进行量测得到的数据，所述模型参数包括结构参数和特性参数，所述结构参数用于表征所述目标器件的几何结构，所述特性参数用于表征所述目标器件的物理特性；
4、通过所述模型参数建立温度补偿模型，所述温度补偿模型用于补偿失配参数在不同温度下的变化，所述失配参数是所述特性参数中会受到半导体制造工艺的波动而产生偏差的参数；
5、基于所述模型参数和所述温度补偿模型建立失配模型，所述失配模型用于表征所述失配参数在所述结构参数和温度影响下的偏差。
6、在一些实施例中，所述通过所述模型参数建立温度补偿模型，包括：
7、基于所述模型参数拟合得到原始失配模型，所述原始失配模型用于表征所述失配参数在所述结构参数影响下的偏差；
8、根据所述模型参数和所述原始失配模型拟合得到原始温度补偿模型，所述原始补偿模型包括至少两个不同温度下的温度补偿子模型；
9、通过所述模型参数对所述温度补偿子模型进行仿真验证，得到所述温度补偿模型。
10、在一些实施例中，所述基于所述模型参数和所述温度补偿模型建立失配模型，包括：
11、将所述温度补偿模型并入所述原始失配模型，得到包含温度补偿的失配模型；
12、通过所述模型参数对所述包含温度补偿的失配模型进行仿真验证，得到最终的失配模型。
13、在一些实施例中，所述根据所述原始失配模型拟合得到原始温度补偿模型，包括：
14、根据所述模型参数分析得到所述失配参数在不同温度下的温度特性；
15、根据所述失配参数在不同温度下的温度特性拟合得到所述温度补偿子模型。
16、在一些实施例中，所述根据所述模型参数分析得到所述失配参数在不同温度下的温度特性，包括：
17、通过线性差值、二次函数以及对数函数中的任一方法对所述模型参数进行分析，得到所述失配参数在不同温度下的温度特性。
18、在一些实施例中，所述结构参数包括长度、宽度、厚度、直径、半径、面积、周长中的至少一种。
19、在一些实施例中，所述失配参数包括电压、电阻、电流、电容以及电感中的至少一种。
20、另一方面，本申请实施例提供了一种计算机设备，所述计算机设备包括处理器和存储器，所述存储器中存储有至少一条指令或程序，所述指令或程序由所述处理器加载并执行以实现如上任一所述的半导体器件模型的建模方法。
21、另一方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质中存储有至少一条指令，所述指令由处理器加载并执行以实现如上任一所述的半导体器件模型的建模方法。
22、本申请技术方案，至少包括如下优点：
23、通过在历史数据中提取建立模型所需的模型参数中，通过模型参数建立失配特性在不同温度下的温度补偿模型，通过温度补偿模型修正失配模型，从而得到了包含温度补偿的失配模型，解决了温度对失配模型的影响，提高了失配模型的准确度。
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1.一种半导体器件模型的建模方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述通过所述模型参数建立温度补偿模型，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述模型参数和所述温度补偿模型建立失配模型，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述原始失配模型拟合得到原始温度补偿模型，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述模型参数分析得到所述失配参数在不同温度下的温度特性，包括：
6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述结构参数包括长度、宽度、厚度、直径、半径、面积、周长中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述失配参数包括电压、电阻、电流、电容以及电感中的至少一种。
8.一种计算机设备，其特征在于，所述计算机设备包括处理器和存储器，所述存储器中存储有至少一条指令或程序，所述指令或程序由所述处理器加载并执行以实现如权利要求1至7中任一所述的半导体器件模型的建模方法。
9.一种
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件模型的建模方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述通过所述模型参数建立温度补偿模型，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述模型参数和所述温度补偿模型建立失配模型，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述原始失配模型拟合得到原始温度补偿模型，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述模型参数分析得到所述失配参数在不同温度下的温度特性，包括：
6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：汤茂亮，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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