一种MOS控制晶闸管功率试验装置制造方法及图纸

本技术公开了一种MOS控制晶闸管功率试验装置，包括低压电源、电路模块、高压电源、信号发生器、示波器和上位机，所述电路模块电性连接有低压电源、高压电源、信号发生器和示波器，且信号发生器与上位机建立电性连接；所述电路模块包括LC谐振电路和驱动电路；所述芯片U3的型号为TC4422、二极管D1的型号为4HG41；所述芯片U1的型号为STC89C52，芯片U2的型号为MAX232；本技术所设计的晶闸管功率试验装置具有电压可调节、脉冲电流可调节、放电频率可调节、放电循环可设定、放电电流大、电流上升率高、操作简单方便、稳定性好的优点，适用于MCT器件的动态老炼试验。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶闸管试验装置，特别涉及一种mos控制晶闸管功率试验装置。

技术介绍

1、mos控制晶闸管(mct)是一种由mosfet和晶闸管复合而成的电力电子器件，其既具有晶闸管良好的阻断和通态特性，又具备mos场效应管输入阻抗高、驱动功率低和开关速度快的优点，同时它还克服了晶闸管速度慢、不能自关断和高压mos场效应管导通压降大的缺点，在诸如在放电开关的应用场合具有非常大的优势，是该类应用场合的理想的开关器件。mct产品一般在供货前都需要进行质量检验，以保证产品质量。老炼试验是一种非破坏性的试验，是在较长的时间内对元器件连续施加一定的电应力，通过电-热应力的综合作用来加速元器件内部各种物理、化学反应过程，促使元器件内部各种潜在缺陷及早暴露，从而达到剔除早期失效产品的目的，但在现有技术中缺少专门用于mct的动态老炼试验的测试设备。

技术实现思路

1、本技术的目的是提供一种mos控制晶闸管功率试验装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为了解决上述技术问题，本技术提供如下技术方案：一种mos控制晶闸本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOS控制晶闸管功率试验装置，包括低压电源(1)、电路模块(2)、高压电源(3)、信号发生器(4)、示波器(5)和上位机(6)，其特征在于：所述电路模块(2)电性连接有低压电源(1)、高压电源(3)、信号发生器(4)和示波器(5)，且信号发生器(4)与上位机(6)建立电性连接。

2.根据权利要求1所述的一种MOS控制晶闸管功率试验装置，其特征在于：所述电路模块(2)包括LC谐振电路和驱动电路。

3.根据权利要求2所述的一种MOS控制晶闸管功率试验装置，其特征在于：所述LC谐振电路包括电感L1、电容C1、被测器件DUT MCT、电阻R4、连接器P4和连接器P...

【技术特征摘要】

1.一种mos控制晶闸管功率试验装置，包括低压电源(1)、电路模块(2)、高压电源(3)、信号发生器(4)、示波器(5)和上位机(6)，其特征在于：所述电路模块(2)电性连接有低压电源(1)、高压电源(3)、信号发生器(4)和示波器(5)，且信号发生器(4)与上位机(6)建立电性连接。

2.根据权利要求1所述的一种mos控制晶闸管功率试验装置，其特征在于：所述电路模块(2)包括lc谐振电路和驱动电路。

3.根据权利要求2所述的一种mos控制晶闸管功率试验装置，其特征在于：所述lc谐振电路包括电感l1、电容c1、被测器件dut mct、电阻r4、连接器p4和连接器p3，被测器件dutmct的脚1接电感l1，电感l1的另一端接电阻r4和电容c1，电阻r4的另一端接连接器p4的脚2，电容c1的另一端接gnd，连接器p4的脚1、被测器件dut mct的脚2和连接器p3的脚1均接gnd，被测器件dut mct的脚3接连接器p3的脚2。

4.根据权利要求2所述的一种mos控制晶闸管功率试验装置，其特征在于：所述驱动电路包括连接器p1、连接器p2、芯片u3、电阻r1、电阻r2、电阻r3和二极管d1，芯片u3的脚2接电阻r1后接gnd，芯片u3的脚2接连接器p1的脚2，芯片u3的脚7接电阻r3后接gnd，芯片u3的脚7接二极管d1的输出端后接gnd，芯片u3的脚7串联电阻r2后接连接器p2的脚1，芯片u3的脚1和脚8、连接器p1的脚1均接vcc，芯片u3的脚4和脚5、连接器p1的脚3和脚4、连接器p2的脚2均接gnd。

5.根据权利要求4所述的一种mos控制晶闸管功...

【专利技术属性】
技术研发人员：白添淇，董双福，张鑫，吴红，于娜，隋杰，
申请(专利权)人：阜新市天琪电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：