一种开关电源制造技术

技术编号:42118514 阅读:20 留言:0更新日期:2024-07-25 00:37
本技术公开了一种开关电源,包括主功率拓扑和信号处理电路,所述主功率拓扑包括串联连接的MOS管Q1和MOS管Q2,所述信号处理的输出端与MOS管Q2的栅极连接;还包括MOS管零电压检测电路,所述MOS管零电压检测电路的第一端分别与MOS管Q1的源极、所述信号处理电路的使能端连接,所述MOS管零电压检测电路的第二端接地;所述MOS管零电压检测电路用于检测MOS管Q1的电压,当检测到MOS管Q1处于零电压时,所述信号处理电路控制MOS管Q2关断。本申请通过对开关电源的MOS管进行零电压间接检测,给到信号处理电路进行处理,防止下管处于零电压时,上管被打开,从而产生非常大的干扰影响电路的正常工作,大大提升电路的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电源,具体涉及一种开关电源


技术介绍

1、在一些带有有源钳位功能或带有上下管功率器件拓扑的开关电源中,如果电源存在异常状态导致电源在下管处于零电压时上管导通,此时上管的漏极电压加到下管的漏极上,由于电源输入电压很高,给下管的结电容充电产生很大的充电电流,同时由于下管处于零电压时体二极管有负向电流流过,那么会造成下管的反向恢复问题,除了会带来较大的损耗以外还带来非常大的干扰问题,导致其他电路受干扰,影响电源的稳定工作。


技术实现思路

1、有鉴于此,本技术要解决的技术问题是提供一种开关电源,以实现在不影响电源正常工作的情况下,防止在下管处于零电压时打开上管,避免产生干扰问题,从而提高电路的稳定性。

2、本技术采用的技术方案如下:

3、第一方面,提供一种开关电源,包括主功率拓扑和信号处理电路,所述主功率拓扑包括串联连接的mos管q1和mos管q2,所述信号处理的输出端与mos管q2的栅极连接,还包括mos管零电压检测电路,所述mos管零电压检测电路的第一端分别与mos管q1的源极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种开关电源,包括主功率拓扑和信号处理电路,所述主功率拓扑包括串联连接的MOS管Q1和MOS管Q2,所述信号处理的输出端与MOS管Q2的栅极连接,其特征在于:还包括MOS管零电压检测电路,所述MOS管零电压检测电路的第一端分别与MOS管Q1的源极、所述信号处理电路的使能端连接,所述MOS管零电压检测电路的第二端接地;所述MOS管零电压检测电路用于检测MOS管Q1的电压,当检测到MOS管Q1处于零电压时,所述信号处理电路控制MOS管Q2关断。

2.根据权利要求1所述的开关电源,其特征在于,所述MOS管零电压检测电路包括二极管D1和二极管D2,二极管D1的阳极与二极管D2的阴...

【技术特征摘要】

1.一种开关电源,包括主功率拓扑和信号处理电路,所述主功率拓扑包括串联连接的mos管q1和mos管q2,所述信号处理的输出端与mos管q2的栅极连接,其特征在于:还包括mos管零电压检测电路,所述mos管零电压检测电路的第一端分别与mos管q1的源极、所述信号处理电路的使能端连接,所述mos管零电压检测电路的第二端接地;所述mos管零电压检测电路用于检测mos管q1的电压,当检测到mos管q1处于零电压时,所述信号处理电路控制mos管q2关断。

2.根据权利要求1所述的开关电源,其特征在于,所述mos管零电压检测电路包括二极管d1和二极管d2,二极管d1的阳极与二极管d2的阴极连接后作为所述mos管零电压检测电路的第一端;二极管d1的阴极与二极管d2的阳极连接后作为所述mos管零电压检测电路的第二端。

3.根据权利要求1所述的开关电源,其特征在于,所述mos管零电压检测电路包括mos管q3和mos管q4,mos管q3的源极、栅极与mos管q4的漏极连接后,作为所述mos管零电压检测电路的第一端;mos管q4的源极、栅极与mos管q3的漏极连接后,作为所述mos管零电压检测电路的第二端。

4.根据权利要求1-3任一项所述的开关电源,其特征在于,所述mos管零电压检测电路用于检测mos管q1的电压,当检测到...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭志翔占剑伟
申请(专利权)人:广州金升阳科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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