【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电源规划方法、芯片装置及非瞬时计算机可读取介质，特别是涉及一种可以降低电压衰退情况的电源规划方法、芯片装置以及非瞬时计算机可读取介质。
技术介绍
1、对于电路在电源规划(power plan)时，将降低电压衰退所造成的负面影响。先前的方法大多提供更多的绕线资源供电源规划使用，例如增加电源轨或通路的铜柱数量和宽度。然而，在电压衰退较为严重的区域中，通常绕线资源并不会太充裕，而使用越多的电源轨或通路铜柱，会使得绕线资源越来越少，因此提高设计的难度。
2、因此，如何提供一种优良的电源规划方法，以克服上述的缺陷，这成为该项领域所要解决的重要课题之一。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术旨在提供一种电源规划方法。一种电源规划方法，适用于电路，所述电路包括第一电路层和第二电路层，所述第二电路层设置在所述第一电路层的一侧，所述第一电路层包括多个电源轨和至少一个第一标准电路单元，所述第二电路层包括多个电源轨，所述电源规划方法包括：计算所述电路的所述第一电路层和所...
【技术保护点】
1.一种电源规划方法，适用于电路，其特征在于，所述电路包括第一电路层和第二电路层，所述第二电路层设置在所述第一电路层的一侧，所述第一电路层包括多个电源轨和至少一个第一标准电路单元，所述第二电路层包括多个电源轨，所述电源规划方法包括：
2.如权利要求1所述的电源规划方法，其特征在于，在计算所述电路的所述第一电路层和所述第二电路层各自的未使用绕线区域和已使用绕线区域步骤之后，所述电源规划方法还包括：
3.如权利要求2所述的电源规划方法，其特征在于，根据所述未使用绕线区域和所述多个电压衰退值的大小顺序，设置所述多个辅助电源带或所述多个辅助通路铜柱，以...
【技术特征摘要】
1.一种电源规划方法，适用于电路，其特征在于，所述电路包括第一电路层和第二电路层，所述第二电路层设置在所述第一电路层的一侧，所述第一电路层包括多个电源轨和至少一个第一标准电路单元，所述第二电路层包括多个电源轨，所述电源规划方法包括：
2.如权利要求1所述的电源规划方法，其特征在于，在计算所述电路的所述第一电路层和所述第二电路层各自的未使用绕线区域和已使用绕线区域步骤之后，所述电源规划方法还包括：
3.如权利要求2所述的电源规划方法，其特征在于，根据所述未使用绕线区域和所述多个电压衰退值的大小顺序，设置所述多个辅助电源带或所述多个辅助通路铜柱，以连接所述多个电源轨。
4.如权利要求3所述的电源规划方法，其特征在于，所述电源规划方法包括，在增设所述多个辅助电源带和所述多个辅助通路铜柱之后，再次计算所述多个电源连接路径各自的所述多个电压衰退值。
5.如权利要求3所述的电源规划方法，其特征在于，所述多个辅助电源带包括分别以第一方向和第二方向进行设置的多个第一方向辅助电源带或多个第二方...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄晟宸，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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